Zein da MOSFET eta IGBTren arteko aldea? Olukey-k zure galderak erantzungo ditu!

Kommutazio-elementu gisa, MOSFET eta IGBT askotan agertzen dira zirkuitu elektronikoetan. Itxura eta parametro bereizgarriak ere antzekoak dira. Uste dut jende askok galdetuko duela zergatik zirkuitu batzuek MOSFET erabili behar duten, beste batzuek egiten duten bitartean. IGBT?

Zein da haien arteko aldea? Hurrengoa,Olukeyzure galderak erantzungo ditu!

Zer da aMOSFET?

MOSFET, Txinako izen osoa metal-oxido erdieroalearen eremu efektuko transistorea da. Eremu-efektuko transistore honen atea geruza isolatzaile baten bidez isolatuta dagoenez, ate isolatu-efektuko transistore ere deitzen zaio. MOSFET bi motatan bana daiteke: "N mota" eta "P mota" bere "kanalaren" (laneko eramailearen) polaritatearen arabera, normalean N MOSFET eta P MOSFET ere deituak.

MOSFETak berak bere diodo parasitoa du, VDD gain-tentsioa denean MOSFET-a erre ez dadin erabiltzen dena. Gehiegizko tentsioak MOSFETari kalteak eragin aurretik, diodoa alderantziz apurtzen da lehenik eta korronte handia lurrera bideratzen du, horrela MOSFET-a erretzea saihestuz.

MOSFET funtzionamendu printzipioaren diagrama

Zer da IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistore batek eta MOSFET batek osatutako gailu erdieroale konposatu bat da.

IGBTren zirkuituko sinboloak ez daude oraindik bateratuta. Diagrama eskematikoa marraztean, oro har, triodoaren eta MOSFETaren ikurrak maileguan hartzen dira. Une honetan, IGBT edo MOSFET den epai dezakezu diagrama eskematikoan markatutako eredutik.

Aldi berean, IGBT-k gorputz-diodorik duen ala ez kontuan izan behar duzu. Irudian markatuta ez badago, ez du esan nahi existitzen ez denik. Datu ofizialek berariaz kontrakoa adierazten ez badute, diodo hori dago. IGBT barruko gorputz-diodoa ez da parasitoa, baina bereziki ezarrita dago IGBTren alderantzizko tentsio hauskorra babesteko. FWD (freewheeling diodo) ere deitzen zaio.

Bien barne egitura ezberdina da

MOSFETen hiru poloak iturria (S), draina (D) eta atea (G) dira.

IGBTren hiru poloak kolektorea (C), igorlea (E) eta atea (G) dira.

IGBT bat MOSFET baten hustubideari geruza gehigarri bat gehituz eraikitzen da. Hauen barne egitura hau da:

Bien aplikazio-eremuak desberdinak dira

MOSFET eta IGBTren barne egiturak desberdinak dira, eta horrek zehazten ditu haien aplikazio eremuak.

MOSFETen egitura dela eta, normalean korronte handia lor dezake, KAra irits daitekeena, baina aurrebaldintza tentsioa jasateko gaitasuna ez da IGBT bezain indartsua. Bere aplikazio-eremu nagusiak elektrizitate-hornidura kommutazioa, balastoak, maiztasun handiko indukziozko berogailua, maiztasun handiko inbertsoreak soldatzeko makinak, komunikazio elikadura-hornidurak eta maiztasun handiko elikadura-horniduraren beste eremu batzuk dira.

IGBT potentzia, korronte eta tentsio asko sor ditzake, baina maiztasuna ez da oso altua. Gaur egun, IGBT-ren aldatze-abiadura gogorra 100KHZ-ra irits daiteke. IGBT oso erabilia da soldadura-makinetan, inbertsoreetan, maiztasun-bihurgailuetan, electroplating elikadura elektrolitikoetan, ultrasoinu-indukziozko berokuntzan eta beste eremu batzuetan.

MOSFET eta IGBTren ezaugarri nagusiak

MOSFET-ek sarrerako inpedantzia handiko ezaugarriak ditu, aldatzeko abiadura azkarra, egonkortasun termiko ona, tentsio-kontroleko korrontea, etab. Zirkuituan, anplifikadore, etengailu elektroniko eta beste helburu gisa erabil daiteke.

Erdieroale elektronikoen gailu mota berri gisa, IGBT sarrerako inpedantzia handiko ezaugarriak ditu, tentsio baxuko kontrol-potentzia-kontsumoa, kontrol-zirkuitu sinplea, tentsio handiko erresistentzia eta korronte-tolerantzia handia, eta hainbat zirkuitu elektronikotan oso erabilia izan da.

IGBTren zirkuitu baliokide ideala beheko irudian ageri da. IGBT MOSFET eta transistorearen konbinazioa da. MOSFET-ek erresistentzia handiko desabantaila du, baina IGBTk gabezia hori gainditzen du. IGBTk oraindik erresistentzia baxua du tentsio altuan. .

Oro har, MOSFETen abantaila maiztasun handiko ezaugarri onak dituela eta ehunka kHz-ko eta MHz-eko maiztasunarekin funtziona dezakeela da. Desabantaila da on-erresistentzia handia dela eta energia-kontsumoa handia dela tentsio handiko eta korronte handiko egoeretan. IGBT ondo funtzionatzen du maiztasun baxuko eta potentzia handiko egoeretan, erresistentzia txikiarekin eta tentsio iraunkorrarekin.

Aukeratu MOSFET edo IGBT

Zirkuituan, MOSFET etengailuaren hodi gisa edo IGBT aukeratu ala ez ingeniariek askotan aurkitzen duten galdera da. Sistemaren tentsioa, korrontea eta etengailu-potentzia bezalako faktoreak kontuan hartzen badira, puntu hauek laburbil daitezke:

Jendeak askotan galdetzen du: "MOSFET edo IGBT hobea al da?" Izan ere, ez dago alde on edo txarrik bien artean. Garrantzitsuena bere benetako aplikazioa ikustea da.

MOSFET eta IGBTren arteko desberdintasunari buruzko galderarik baduzu oraindik, Olukeyrekin harremanetan jar zaitezke xehetasunetarako.

Olukey-k batez ere WINSOK tentsio ertaineko eta baxuko MOSFET produktuak banatzen ditu. Produktuak oso erabiliak dira industria militarrean, LED/LCD gidari-tauletan, motor-gidari-tauletan, karga azkarrean, zigarro elektronikoetan, LCD monitoreetan, elikadura-iturrietan, etxetresna elektrikoetan, produktu medikoan eta Bluetooth produktuetan. Balantza elektronikoak, ibilgailuen elektronika, sareko produktuak, etxetresna elektrikoak, ordenagailu periferikoak eta hainbat produktu digital.