Zer esan nahi dute paketaturiko MOSFETaren G, S eta D hiru pinek?

Hau paketatua daMOSFETsentsore infragorri piroelektrikoa. Marko angeluzuzena sentsore leihoa da. G pina lurreko terminala da, D pina barneko MOSFETen hustubidea eta S pina barneko MOSFET iturria da. Zirkuituan, G lurrera konektatzen da, D elikadura-iturri positibora konektatzen da, seinale infragorriak leihotik sartzen dira eta seinale elektrikoak S-tik ateratzen dira.

Epaiketa atea G

MOS kontrolatzaileak uhin-formaren formaren eta gidatzeko hobekuntzaren zeregina betetzen du batez ere: G seinalearen uhin-formarenMOSFETez da nahikoa aldapatsua, potentzia-galera handia eragingo du aldaketa-etapan. Bere bigarren efektua zirkuituaren bihurketa eraginkortasuna murriztea da. MOSFETak sukar handia izango du eta beroak erraz kaltetuko du. MOSFETGSen artean nolabaiteko kapazitate bat dago. , G seinalea gidatzeko gaitasuna nahikoa ez bada, uhin formaren jauzi denboran eragin handia izango du.

Zirkuitu laburtu GS poloa, hautatu multimetroaren R×1 maila, konektatu probaren kable beltza S polora eta proba gorria D polora. Erresistentziak Ω gutxitik hamar Ω baino gehiago izan behar du. Pin jakin baten eta bere bi pin baten erresistentzia infinitua dela aurkitzen bada, eta probako kableak trukatu ondoren oraindik infinitua dela, konfirmatzen da pin hori G poloa dela, beste bi pinetatik isolatuta dagoelako.

Zehaztu S iturria eta D draina

Ezarri multimetroa R×1k eta neurtu hiru pinen arteko erresistentzia hurrenez hurren. Erabili truke probako berun metodoa erresistentzia bi aldiz neurtzeko. Erresistentzia-balio baxuagoa duena (oro har, mila Ω-tik hamar mila Ω baino gehiago) aurrerako erresistentzia da. Une honetan, probaren kable beltza S poloa da eta proba gorria D polora konektatuta dago. Proba baldintza desberdinak direla eta, neurtutako RDS(on) balioa eskuliburuan emandako balio tipikoa baino handiagoa da.

BuruzMOSFET

Transistoreak N motako kanala du, beraz, N kanala deitzen zaioMOSFET, edoNMOS. P-kanaleko MOS (PMOS) FET ere existitzen da, hau da, arin dopatutako N motako BACKGATE eta P motako iturri eta drainaz osatutako PMOSFET bat da.

N motako edo P motako MOSFET edozein dela ere, bere funtzionamendu-printzipioa bera da funtsean. MOSFET-ek irteerako terminalaren hustubidean dagoen korrontea kontrolatzen du sarrerako terminalaren ateari aplikatutako tentsioaren bidez. MOSFET tentsioz kontrolatutako gailu bat da. Ateari aplikatzen zaion tentsioaren bidez gailuaren ezaugarriak kontrolatzen ditu. Ez du oinarrizko korronteak eragiten duen karga biltegiratzeko efektua eragiten transistore bat kommutaziorako erabiltzen denean. Beraz, aplikazioak aldatzean,MOSFETaktransistoreak baino azkarrago aldatu beharko luke.

FET-ak bere sarrerak (atea deitzen dena) transistoretik igarotzen den korronteari eragiten diolako ere badu bere izena, eremu elektriko bat geruza isolatzaile batean proiektatuz. Izan ere, isolatzaile honetatik ez da korronterik pasatzen, beraz, FET hodiaren GATE korrontea oso txikia da.

FET ohikoenak silizio dioxidozko geruza mehe bat erabiltzen du GATE azpian isolatzaile gisa.

Transistore mota honi metal oxidoaren erdieroalea (MOS) transistore edo metal oxidoaren erdieroalearen eremu efektuaren transistorea (MOSFET) deitzen zaio. MOSFETak txikiagoak eta potentzia eraginkorragoak direnez, transistore bipolarrak ordezkatu dituzte aplikazio askotan.