Zeintzuk dira MOSFET baten lau eskualdeak?

N kanaleko hobekuntza MOSFET baten lau eskualdeak

(1) Erresistentzia aldakorreko eskualdea (eskualde asegabea ere deitzen zaio)

Ucs" Ucs (th) (pizte-tentsioa), uDs" UGs-Ucs (th), kanala pizten den irudiko aurreblokeatutako arrastoaren ezkerreko eskualdea da. UDen balioa txikia da eskualde honetan, eta kanalaren erresistentzia funtsean UGek bakarrik kontrolatzen dute. UGs ziur dagoenean, ip eta uDs erlazio lineal batean sartzen dira, eskualdea lerro zuzenen multzo gisa hurbiltzen da. Une honetan, eremu efektuko hodi D, S tentsio baten baliokidea UGS artean

UGS erresistentzia aldakorra tentsioaren bidez kontrolatua.

(2) korronte konstanteko eskualdea (saturazio eskualdea, anplifikazio eskualdea, eskualde aktiboa izenez ere ezagutzen da)

Ucs ≥ Ucs (h) eta Ubs ≥ UcsUssth), aurre-pinch off pistaren eskuineko irudirako, baina oraindik eskualdean hautsi gabe, eskualdean, uGak izan behar dutenean, ib ia ez UDekin aldatzea, korronte konstantearen ezaugarria da. i UGek bakarrik kontrolatzen dute, orduan MOSFETD, S korronte iturriaren tentsio uGs kontrolaren baliokidea da. MOSFET anplifikazio-zirkuituetan erabiltzen da, oro har, D MOSFET lanaren gainean, S tentsio uGs kontrol korronte iturri baten baliokidea da. Anplifikazio-zirkuituetan erabiltzen den MOSFETek, oro har, eskualdean funtzionatzen dute, beraz, anplifikazio-eremua ere ezagutzen da.

(3) Mozte-eremua (mozte-eremua ere deitzen zaio)

Moztu-eremua (mozte-eremua ere deitzen zaio) ucs "Ues (th) eskualdeko ardatz horizontaletik gertu dagoen irudiaren arabera, kanala itxita dago, klip osoa bezala ezagutzen dena, io = 0 , hodiak ez du funtzionatzen.

(4) matxura gunearen kokapena

Matxura-eskualdea irudiaren eskuinaldean dagoen eskualdean dago. UDak gero eta handiagoak direnez, PN junturak alderantzizko tentsio eta matxura gehiegi jasaten ditu, ip-a nabarmen handitzen da. Hodiak matxura-eskualdean ez funtzionatu behar du. Transferentzia ezaugarrien kurba irteerako ezaugarri kurbatik erator daiteke. Aurkitu grafiko gisa erabilitako metodoari buruz. Adibidez, Ubs = 6V lerro bertikalerako 3 (a) irudian, kurbarekin lotutako ib- Uss koordenatuetan i, Us balioei dagozkien hainbat kurbarekin duen ebakidura, hau da, transferentzia-kurba ezaugarria lortzeko.

-ren parametroakMOSFET

MOSFET-en parametro asko daude, DC parametroak, AC parametroak eta muga-parametroak barne, baina erabilera arruntean honako parametro nagusi hauek bakarrik hartu behar dira kontuan: drain-iturburuko korronte saturatua IDSS pinch-off tentsioa Gora, (juntura motako hodiak eta agortzea). -Mota isolatutako ate hodiak, edo pizteko tentsioa UT (indartutako ate isolatu hodiak), trans-eroankortasuna gm, ihes-iturria matxura-tentsioa BUDS, disipatutako potentzia maximoa PDSM eta drain-iturriaren korronte maximoa IDSM .

(1) Hustuketa-korronte saturatua

IDSS drainatze-korronte saturatua juntura edo agortze-mota isolatutako MOSFET-en drainatze-korrontea da ate-tentsioa UGS = 0 denean.

(2) Clip-off tentsioa

Pinch-off tentsioa UP drainatzearen eta iturriaren artean mozten den juntura-motako edo agortze-motako isolatutako MOSFET bateko ate-tentsioa da. 4-25ean N kanaleko hodi UGS ID kurbarako erakusten den moduan, IDSS eta UP-ren garrantzia ikustea uler daiteke.

MOSFET lau eskualde

(3) Pizteko tentsioa

Pizte-tentsioa UT ate-tentsioa da, isolatutako MOSFET indartu batean, drainatze-iturria besterik eroale bihurtzen duena.

(4) Transeroankortasuna

Transeroankortasuna gm ate-iturriaren tentsioaren kontrol-ahalmena da drain-korrontearen IDaren gainean, hau da, drainatze-korrontearen IDaren aldaketaren eta ate-iturriaren tentsioaren aldaketaren UGSren arteko erlazioa. 9m-ren anplifikazio gaitasuna pisatzen duen parametro garrantzitsu bat daMOSFET.

(5) Drain-iturriaren matxura-tentsioa

Drain-iturriaren matxura-tentsioa BUDS ate-iturriaren tentsioa UGS jakina aipatzen du, MOSFET-en funtzionamendu normalak drainatze-iturriaren tentsio maximoa onartu dezake. Hau muga-parametro bat da, MOSFET funtzionamendu-tentsioari gehituta BUDS baino txikiagoa izan behar da.

(6) Gehienezko potentzia xahutzea

Gehienezko potentzia xahutzea PDSM muga-parametro bat ere bada, aipatzen duMOSFETerrendimendua ez da hondatzen baimendutako isurketa iturriaren potentzia xahutzen denean. MOSFET erabiltzean, energia kontsumo praktikoa PDSM baino txikiagoa izan behar da eta marjina jakin bat utzi behar du.

(7) Hustuketa-korronte maximoa

Gehienezko ihes-korronte IDSM beste muga-parametro bat da, MOSFETaren funtzionamendu normalari egiten dio erreferentzia, MOSFET-en funtzionamendu-korrontetik igarotzeko baimendutako korronte maximoaren ihes-iturriak ez du IDSM gainditu behar.

MOSFET funtzionamendu-printzipioa

MOSFET-en (N-channel enhancement MOSFET) funtzionamendu-printzipioa VGS erabiltzea da "karga induktiboaren" zenbatekoa kontrolatzeko, "karga induktibo" hauek osatzen duten kanal eroalearen egoera aldatzeko eta, ondoren, helburua lortzeko. drainatze-korrontea kontrolatzeko. Helburua drainatze-korrontea kontrolatzea da. Hodien fabrikazioan, geruza isolatzailean ioi positibo ugari egiteko prozesuaren bidez, beraz, interfazearen beste aldean karga negatibo gehiago eragin daitezke, karga negatibo hauek eragin daitezke.

Atearen tentsioa aldatzen denean, kanalean eragindako karga-kopurua ere aldatzen da, kanal eroalearen zabalera ere aldatzen da eta, beraz, drainatze-korrontearen IDa aldatzen da atearen tentsioarekin.

MOSFET rola

I. MOSFET anplifikazioan aplika daiteke. MOSFET anplifikadorearen sarrerako inpedantzia handia dela eta, akoplamendu-kondentsadorea ahalmen txikiagoa izan daiteke, kondentsadore elektrolitikorik erabili gabe.

Bigarrenik, MOSFETen sarrerako inpedantzia handia oso egokia da inpedantzia bihurtzeko. Etapa anitzeko anplifikadorearen sarrera-etapan erabili ohi da inpedantzia bihurtzeko.

MOSFET erresistentzia aldakor gisa erabil daiteke.

Laugarrenik, MOSFET korronte konstanteko iturri gisa erraz erabil daiteke.

Bosgarrenik, MOSFET etengailu elektroniko gisa erabil daiteke.