MOSFETen eginkizuna zirkuituetan

MOSFETakrol bat jokatukommutazio-zirkuituetanzirkuitua piztea eta itzaltzea eta seinale bihurtzea kontrolatzea da.MOSFETak Oro har, bi kategoriatan bana daiteke: N kanala eta P kanala.

N kanaleanMOSFETzirkuitua, BEEP pina altua da burrunbagailuaren erantzuna gaitzeko eta baxua burrunbagailua desaktibatzeko.P kanalaMOSFETGPS moduluaren elikadura piztu eta itzaltzeko, GPS_PWR pin baxua da aktibatuta dagoenean, GPS modulua elikadura-hornidura normala, eta altua GPS modulua itzaltzeko.

P kanalaMOSFETN motako silizio substratuan P + eskualdean bi ditu: draina eta iturria. Bi polo hauek ez dira elkarren artean eroaleak, iturriari lurreratzean tentsio positibo nahikoa gehitzen zaionean, atearen azpian N motako silizio gainazala P motako alderantzizko geruza gisa agertuko da, draina eta iturria lotzen dituen kanal batean. . Atean tentsioa aldatzeak kanaleko zuloen dentsitatea aldatzen du, horrela kanalaren erresistentzia aldatuz. Honi P kanaleko hobekuntza eremu efektuko transistore deitzen zaio.

NMOS ezaugarriak, Vgs, betiere, balio jakin bat baino handiagoa izango da, iturburuan lurretik beherako disko-kasuari aplikagarriak, beti ere linean 4V edo 10V-ko ate tentsioa bada.

PMOS-en ezaugarriak, NMOSen kontrakoak, piztuko dira Vgs balio jakin bat baino txikiagoa den bitartean, eta egokia da goi mailako diskoen kasuan erabiltzeko iturria VCCra konektatuta dagoenean. Hala ere, ordezko mota kopuru txikia, erresistentzia handia eta prezio altua direla eta, PMOS goi-mailako diskoen kasuan oso eroso erabil daitekeen arren, goi-mailako unitatean, oro har, oraindik ere NMOS erabiltzen da.

Orokorrean,MOSFETaksarrerako inpedantzia handia dute, zirkuituetan zuzeneko akoplamendua errazten dute eta nahiko errazak dira eskala handiko zirkuitu integratuetan fabrikatzen.