Korronte txikiko MOSFET eusteko zirkuitua fabrikatzeko aplikazioa

MOSFET euste-zirkuitu bat, R1-R6 erresistentzia, C1-C3 kondentsadore elektrolitikoak, C4 kondentsadorea, PNP triodoa VD1, D1-D2 diodoak, tarteko errele K1, tentsio-konparagailu bat, denbora bikoitzeko oinarri integratua NE556 txip bat eta MOSFET Q1. NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratuko txiparen 6 zenbakiarekin seinale sarrera gisa balio duena eta mutur bat. R1 erresistentzia denbora bikoitzeko oinarri integratuaren NE556 txiparen 6 Pinera aldi berean konektatzen da seinale sarrera gisa erabiltzen da, R1 erresistentziaren mutur bat denbora bikoitzeko oinarri integratuko NE556 txiparen 14. pinarekin konektatzen da, mutur bat. R2 erresistentzia, R4 erresistentziaren mutur bat, VD1 PNP transistorearen igorlea, Q1 MOSFETaren hustubidea eta DC elikadura hornidura eta beste muturra. R1 erresistentzia denbora bikoitzeko oinarri integratuko NE556 txiparen 1. pinarekin, NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratuko txiparen 2. pinarekin, C1 kondentsadorearen kapazitate elektrolitiko positiboarekin eta tarteko errelearekin konektatuta dago. K1 normalean itxitako kontaktua K1-1, tarteko errelearen beste muturra K1 normalean itxita dagoen kontaktua K1-1, C1 kondentsadore elektrolitikoaren polo negatiboa eta C3 kondentsadorearen mutur bat elikadura-iturri-lurrera konektatuta daude, beste muturra C3 kondentsadorearen NE556 denbora-oinarri bikoitzeko txip integratuaren 3. pinarekin konektatuta dago, NE556 denbora-oinarri bikoitzeko txip integratuaren 4. pin-a polo positiboarekin konektatuta dago. C2 kondentsadore elektrolitikoa eta R2 erresistentziaren beste muturra aldi berean, eta C2 kondentsadore elektrolitikoaren polo negatiboa elikadura-iturri-lurrera konektatuta dago eta C2 kondentsadore elektrolitikoaren polo negatiboa elikadura-lurrera konektatuta dago. C2-ren polo negatiboa elikadura-lurrera konektatuta dago, NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratuaren txiparen 5. pina R3 erresistentziaren mutur batera konektatuta dago, R3 erresistentziaren beste muturra tentsio-konparagailuaren fase positiboko sarrerara konektatuta dago. , tentsio-konparagailuaren fase negatiboa sarrera D1 diodoaren polo positiboarekin eta R4 erresistentziaren beste muturrera aldi berean konektatuta dago, D1 diodoaren polo negatiboa konektatuta dago. elikadura-iturriaren lurrera, eta tentsio-konparagailuaren irteera R5 erresistentziaren amaierara konektatzen da, R5 erresistentziaren beste muturra PNP triplexera konektatuta dago. Tentsio-konparagailuaren irteera R5 erresistentziaren mutur batera konektatzen da, R5 erresistentziaren beste muturra VD1 PNP transistorearen oinarrira konektatzen da, VD1 PNP transistorearen kolektorea diodoaren polo positiboarekin konektatuta dago. D2, D2 diodoaren polo negatiboa R6 erresistentziaren amaierara, C4 kondentsadorearen amaierara eta MOSFETaren atea aldi berean konektatuta dago. denbora, R6 erresistentziaren beste muturra, C4 kondentsadorearen beste muturra eta K1 tarteko errelearen beste muturra elikadura-hornidura-lurrera konektatuta daude eta tarteko K1 errelearen beste muturra iturrira konektatuta dago. iturriaMOSFET.

MOSFET-en atxikipen-zirkuitua, A-k abiarazte-seinale baxua ematen duenean, une honetan NE556 txip integratua denbora bikoitzeko oinarria, NE556 pin 5 txip integratua denbora bikoitzeko oinarria, maila altua, maila altua tentsio-konparagailuaren fase positiboaren sarreran, negatiboa. R4 erresistentziaren eta D1 diodoaren tentsio-konparagailuaren sarrera fasea erreferentziako tentsioa emateko, une honetan, tentsio-konparagailuaren irteera maila altua, maila altua egiteko. VD1 triodoak eroaten du, VD1 triodoaren kolektoretik ateratzen den korronteak C4 kondentsadorea kargatzen du D2 diodoaren bidez, eta, aldi berean, MOSFET Q1ek, une honetan, tarteko K1 errelearen bobina xurgatzen du eta tarteko K1 erreleak normalean. K 1-1 kontaktu itxia deskonektatzen da, eta tarteko errelearen ondoren K1 normalean itxitako kontaktua K 1-1 da. deskonektatuta, NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratuko txiparen 1 eta 2 oineko DC elikadura hornidura hornidura tentsioa gordetzen da denbora bikoitzeko oinarri integratuaren NE556 txiparen 1 eta 2 pineko tentsioa 2/-ra kargatu arte. Hornidura-tentsioko 3, denbora bikoitzeko oinarri integratua NE556 automatikoki berrezartzen da eta denbora bikoitzeko oinarri integratuko txiparen 5. NE556 automatikoki berrezartzen da maila baxura, eta ondorengo zirkuituek ez dute funtzionatzen, une honetan, berriz, C4 kondentsadorea deskargatzen da MOSFET Q1 eroapena mantentzeko C4 kapazitatearen deskarga amaitu arte eta tarteko K1 bobina askatu arte. K1 errele normalean itxitako kontaktua K 11 itxita, momentu honetan itxitako tarteko errelearen bidez K1 normalean itxitako kontaktua K 1-1 NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratua txip NE556 1 oin eta 2 oin tentsio askapena itzalita izango da, hurrengoan denbora bikoitzeko oinarri integratua NE556 pin 6 abiarazte-seinale baxua emateko NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratua prestatzeko.

Aplikazio honen zirkuituaren egitura sinplea eta berritzailea da, denbora bikoitzeko oinarri integratua NE556 pin 1 eta pin 2 hornidura-tentsioaren 2/3ra kargatzen denean, denbora bikoitzeko oinarri integratua NE556 automatikoki berrezarri daiteke, denbora bikoitzeko oinarri integratua txip NE556 pin 5 automatikoki maila baxu batera itzultzen da, ondorengo zirkuituek funtziona ez dezaten, C4 kondentsadorea kargatzea automatikoki gelditzeko eta karga gelditu ondoren. MOSFET Q1 eroaleak mantentzen duen C4 kondentsadorearen, aplikazio honek etengabe mantendu dezakeMOSFETQ1 eroalea 3 segundoz.

R1-R6 erresistentzia, kondentsadore elektrolitikoak C1-C3, kondentsadorea C4, PNP transistorea VD1, D1-D2 diodoak, tarteko errele K1, tentsio-konparatzailea, denbora bikoitzeko oinarri integratua txip NE556 eta MOSFET Q1, denbora bikoitzeko oinarriaren 6 pin integratua ditu. NE556 txipa seinale sarrera gisa erabiltzen da, eta R1 erresistentziaren mutur bat 14 pinarekin konektatuta dago. NE556 denbora-oinarri bikoitzeko txip integratua, R2 erresistentzia, NE556 denbora-oinarri bikoitzeko txip integratuaren 14. pina eta NE556 denbora-base bikoitzeko txip integratuaren 14. eta R2 erresistentzia NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratuaren 14. pinarekin konektatuta dago. NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratuaren 14 pin, R2 erresistentziaren mutur bat, R4 erresistentziaren mutur bat, PNP transistorea

Nolako lan-printzipioa?

A-k abiarazte-seinale baxua ematen duenean, orduan denbora bikoitzeko oinarri integratua NE556 multzoa, denbora bikoitzeko oinarri integratua NE556 pin 5 irteera maila altua, maila altua tentsio-konparagailuaren fase positiboaren sarreran, fase negatiboaren sarrera. R4 erresistentziaren eta D1 diodoaren tentsio-konparatzailea erreferentziako tentsioa emateko, oraingoan, tentsio-konparagailuaren irteera maila altua, VD1 transistorearen eroankortasunaren maila altua, korrontea. VD1 transistorearen kolektoretik D2 diodotik igarotzen da C4 kondentsadorera kargatuz, une honetan, tarteko errele K1 bobina xurgapena, tarteko errele K1 bobina xurgapena. VD1 transistorearen kolektoretik doan korrontea C4 kondentsadorera kargatzen da D2 diodoaren bidez, eta, aldi berean,MOSFETQ1ek, une honetan, tarteko K1 errelearen bobina xurgatzen du, eta tarteko K1 errele normalean itxitako K 1-1 kontaktua deskonektatzen da, eta tarteko K1 errele normalean itxitako K 1-1 kontaktua deskonektatu ondoren, potentzia. NE556 denbora-base bikoitzeko txip integratuaren 1 eta 2 oinetara DC elikadura iturriak hornitzeko tentsioa gordetzen da. NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratuko txiparen 1 eta 2 pinean hornidura-tentsioaren 2/3an kargatzen da, NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratua automatikoki berrezartzen da eta NE556 denbora bikoitzeko oinarri integratuko txiparen 5. automatikoki maila baxura berrezartzen da, eta ondorengo zirkuituek ez dute funtzionatzen, eta une honetan, C4 kondentsadorea deskargatzen da MOSFET-a mantentzeko Q1 eroapena C4 kondentsadorearen deskarga amaitu arte, eta tarteko K1 errelearen bobina askatzen da, eta tarteko K1 normalean itxitako kontaktua K 1-1 deskonektatzen da. K1 normalean itxitako kontaktua K 1-1 itxita, oraingoan itxita dagoen tarteko errelearen bidez K1 normalean itxitako kontaktua K 1-1 denbora bikoitzeko oinarri integratua izango da NE556 1 oin eta 2 oin tentsio askapenean, hurrengoan denbora bikoitzeko oinarri integratua NE556 pin 6 abiarazle seinalea baxua ezartzeko, denbora bikoitzeko oinarri integratua prestatzeko. NE556 multzoa.