MOSFET (FieldEffect Transistor laburdura (FET)) izenburuaMOSFET. eramaile kopuru txiki batek eroankortasun termikoan parte hartzeko, polo anitzeko juntura transistore gisa ere ezagutzen dena. Tentsioz kontrolatutako gailu erdi-supereroale gisa sailkatzen da. Lehendik dagoen irteerako erresistentzia handia da (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), zarata baxua, potentzia-kontsumo baxua, barruti estatikoa, integratzeko erraza, bigarren matxura fenomenorik ez, itsaso zabalaren asegurua eta beste abantaila batzuk, orain aldatu du. kolaboratzaile indartsuen juntura bipolarra eta potentzia-juntura transistorea.
MOSFETen ezaugarriak
Lehenik eta behin: MOSFET tentsioa masterizatzeko gailu bat da, VGS bidez (ate-iturburuko tentsioa) ID masterra (drain DC);
Bigarrena:MOSFET-akirteera DC oso txikia da, beraz, bere irteerako erresistentzia oso handia da.
Hiru: beroa eroateko eramaile gutxi batzuk aplikatzen zaizkio, eta horrela egonkortasun neurri hobea du;
Lau: koefiziente txikien murrizketa elektrikoaren bide murriztu batez osatuta dago transistorea baino txikiagoa izateko koefiziente txikien murrizketa elektrikoaren bide murriztuaz osatuta;
Bosgarrena: MOSFET irradiazioaren aurkako boterea;
Sei: ez dagoelako sakabanatuta dauden zarata-partikulak eragindako dispertsio minoritarioaren jarduera akatsik, zarata txikia delako.
MOSFET zereginaren printzipioa
MOSFETataza-printzipioa esaldi batean, hau da, "draina - iturria IDaren arteko kanalean zehar ibiltzea, elektrodoa eta pn arteko kanala alderantzizko elektrodo tentsio batean eraikita IDa menderatzeko". Zehatzago, zirkuituan zehar IDaren anplitudea, hau da, kanalaren sekzio-eremua, pn lotunearen kontra-alborapenaren aldakuntzaren arabera da, agortze-geruzaren agerpena arrazoiaren menderatzearen aldakuntza zabaltzeko. VGS=0-ko itsaso ez-saturatuan, adierazitako trantsizio-geruzaren hedapena ez da oso handia, draina-iturriaren artean gehitutako VDS eremu magnetikoaren arabera, iturri-itsasoko elektroi batzuk hustubidetik urruntzen direlako. , hau da, DC ID jarduera bat dago hustubidetik iturrira. Atetik hustubidera zabaltzen den geruza moderatuak kanalaren gorputz oso baten blokeo mota bat osatuko du, ID betea. Aipatu eredu hau pinch-off gisa. Horrek trantsizio-geruzak kanal oso bat oztopatzen duela adierazten du, eta ez da DC moztuta dagoela.
Trantsizio geruzan, elektroien eta zuloen auto-mugimendurik ez dagoenez, korronte korronte orokorraren existentziaren ezaugarri isolatzaileen forma errealean zaila da mugitzea. Hala ere, drainatzearen - iturriaren arteko eremu magnetikoa, praktikan, bi trantsizio-geruzaren kontaktu-hustubidea eta beheko ezkerreko ate-poloa, noraeza eremu magnetikoak abiadura handiko elektroiak trantsizio geruzaren bidez eramaten dituelako. Deriva eremu magnetikoaren indarrak ez duelako ID eszenaren osotasuna aldatzen. Bigarrenik, VGS posizio negatiboa aldatzen da, beraz, VGS = VGS (desaktibatuta), orduan trantsizio geruzak itsaso osoa estaltzeko forma aldatzen du neurri handi batean. Eta VDS-ren eremu magnetikoa trantsizio-geruzari gehitzen zaio neurri handi batean, elektroia noraeza posiziora eramaten duen eremu magnetikoa, betiere oso laburren iturri-polotik hurbil, hau da, DC potentzia ez dadin. gelditzeko gai.
Argitalpenaren ordua: 2024-04-12
