PMOSFET, Canal Positive Metal Oxide Semiconductor bezala ezagutzen dena, MOSFET mota berezi bat da. Honako hau da PMOSFETen azalpen zehatza:
I. Oinarrizko egitura eta funtzionamendu-printzipioa
1. Oinarrizko egitura
PMOSFETek n motako substratuak eta p-kanalak dituzte, eta haien egitura batez ere ate batek (G), iturri batek (S) eta drainatze batek (D) osatzen dute. N motako silizioko substratuan, iturri eta hustubide gisa balio duten bi P+ eskualde daude, hurrenez hurren, eta elkarren artean konektatzen dira p kanalaren bidez. Atea kanalaren gainean dago eta kanaletik isolatuta dago metal oxidozko geruza isolatzaile baten bidez.
2. Funtzionamendu-printzipioak
PMOSFETek NMOSFETen antzera funtzionatzen dute, baina kontrako eramaileekin. PMOSFET batean, eramaile nagusiak zuloak dira. Iturriarekiko ateari tentsio negatiboa aplikatzen zaionean, p motako alderantzizko geruza bat sortzen da atearen azpian n motako silizioaren gainazalean, iturria eta hustubidea lotzen dituen lubaki gisa balio duena. Atearen tentsioa aldatzeak kanaleko zuloen dentsitatea aldatzen du, eta horrela kanalaren eroankortasuna kontrolatzen da. Atearen tentsioa nahikoa baxua denean, kanaleko zuloen dentsitatea iturriaren eta hustubidearen arteko eroankortasuna ahalbidetzeko adinako mailara iristen da; alderantziz, kanala mozten da.
II. Ezaugarriak eta aplikazioak
1. Ezaugarriak
Mugikortasun baxua: P kanaleko MOS transistoreek zuloen mugikortasun nahiko baxua dute, beraz, PMOS transistoreen transkonduktantzia NMOS transistoreena baino txikiagoa da geometria eta funtzionamendu-tentsio berdinean.
Abiadura baxuko eta maiztasun baxuko aplikazioetarako egokia: mugikortasun txikiagoa dela eta, PMOS zirkuitu integratuak egokiagoak dira abiadura baxuko eta maiztasun baxuko eremuetako aplikazioetarako.
Eroapen-baldintzak: PMOSFET-en eroapen-baldintzak NMOSFETen aurkakoak dira, iturriko tentsioa baino baxuagoa den ate-tentsioa behar du.
- Aplikazioak
Alboko aldakuntza altua: PMOSFET-ak normalean alboko konmutazio altuko konfigurazioetan erabiltzen dira, non iturria hornidura positiboarekin konektatzen den eta draina kargaren mutur positiboarekin konektatuta dagoenean. PMOSFET-ak eroaten duenean, kargaren mutur positiboa hornidura positiboarekin konektatzen du, korrontea kargatik igarotzen utziz. Konfigurazio hau oso ohikoa da potentzia-kudeaketan eta motor-unitateetan.
Alderantzizko babes-zirkuituak: PMOSFET-ak alderantzizko babes-zirkuituetan ere erabil daitezke, alderantzizko elikadura-hornidura edo karga-korrontearen atzera-fluxuak eragindako zirkuituan kalteak saihesteko.
III. Diseinua eta gogoetak
1. ATEAREN TENTSIOAREN KONTROLA
PMOSFET zirkuituak diseinatzerakoan, atearen tentsioaren kontrol zehatza behar da funtzionamendu egokia bermatzeko. PMOSFETen eroapen-baldintzak NMOSFETen aurkakoak direnez, arreta jarri behar da atearen tentsioaren polaritateari eta magnitudeari.
2. Karga konexioa
Karga konektatzean, kargaren polaritateari arreta jarri behar zaio PMOSFET-en korrontea behar bezala igarotzen dela ziurtatzeko, eta kargak PMOSFET-aren errendimenduan duen eragina, hala nola tentsio-jaitsiera, energia-kontsumoa, etab. , ere kontuan hartu behar da.
3. Tenperaturaren egonkortasuna
PMOSFETen errendimenduan tenperaturak asko eragiten du, beraz, tenperaturak PMOSFETen errendimenduan duen eragina kontuan hartu behar da zirkuituak diseinatzerakoan, eta dagozkion neurriak hartu behar dira zirkuituen tenperatura-egonkortasuna hobetzeko.
4. Babes zirkuituak
Funtzionamenduan zehar PMOSFET-ak gehiegizko korrontearen eta gaintentsioaren ondorioz kalteak izan ez daitezen, zirkuituan gainkorrontearen babesa eta gaintentsioaren babesa bezalako babes-zirkuituak instalatu behar dira. Babes-zirkuitu hauek PMOSFET-a modu eraginkorrean babestu dezakete eta bere bizitza luzatzen dute.
Laburbilduz, PMOSFET egitura eta funtzionamendu-printzipio berezia duen MOSFET mota bat da. Mugikortasun baxua eta abiadura baxuko eta maiztasun baxuko aplikazioetarako egokitasunari esker, oso aplikagarria da eremu zehatzetan. PMOSFET zirkuituak diseinatzerakoan, arreta jarri behar da atearen tentsioaren kontrolari, karga-konexioei, tenperatura-egonkortasunari eta babes-zirkuituei, zirkuituaren funtzionamendu egokia eta fidagarritasuna bermatzeko.
Argitalpenaren ordua: 2024-09-15