Elikatze-hornidura-zirkuituek, edo propultsioaren alorreko elikadura-hornidura-zirkuituek, ezinbestean erabiltzen dituzteMOSFETak, mota askotakoak eta funtzio asko dituztenak. Elikatze-hornidura edo propultsio-aplikazioak aldatzeko, naturala da bere kommutazio-funtzioa erabiltzea.
N-mota edo P-mota gorabeheraMOSFET, printzipioa funtsean berdina da, MOSFET korrontearen lotura-muturreko ateari gehitzen zaio drainatze-korrontearen irteerako aldea erregulatzeko, MOSFET tentsio kontrolatutako gailu bat da, ateari gehitutako korrontean oinarritzen da. gailuaren ezaugarrien manipulazioa, ez da transistore bat bezala aldatzeko joera karga positiboak biltegiratzeko efektuak eragindako korronte basearen ondorioz, eta, beraz, aldatzeko aplikazioan, MOSFET aldatze-tasa transistorea baino azkarragoa izan behar da. Aldaketa-tasa triodoa baino azkarragoa izan behar da.
MOSFETkorronte txikiko beroketak eragiten ditu
1, arazoaren zirkuitu-printzipioa MOSFET-ak funtzionamendu-egoera linealean funtzionatzea da, aldatze-egoeran baino. Hau ere MOSFET beroaren kausa da. N-MOS aldatzea, G-mailako funtzionamendu-tentsioa aldatzeko elikadura hornidura baino V batzuk bada, erabat piztu eta itzali ahal izateko, P-MOS alderantziz da. Ez dago guztiz piztuta eta galera handiegia da irteerako potentzia xahutzea eraginez, zirkuitu baliokidea DC inpedantzia ezaugarria handiagoa da, galera zabaldu egiten da, beraz, U * I ere zabaldu egiten da, agortzeak beroa adierazten du. Hau da, gainera, gehien saihesten den diseinu programa okerren kontrol-zirkuitua.
2, maiztasuna altuegia da, batez ere batzuetan bolumen perfektuaren bila gehiegi, maiztasuna hobetzea eraginez, MOSFET kontsumoaren hedapenean, beraz, beroa ere handitu da.
3, ez zuen nahikoa bero bazterketa diseinu programa egin, korrontea altuegia da, MOSFET tolerantzia egungo balioa, oro har, bero-bazterketa ona mantendu behar da egin daiteke. Hori dela eta, ID korronte altuagoa baino txikiagoa da, litekeena da, gainera, larriagoa berotzea, nahikoa izan behar du bero-husketagailua laguntzeko.
4, MOSFET ereduaren hautaketa ez da zuzena, irteerako potentzia ez da zuzena, MOSFETen erresistentzia ez da kontuan hartzen, eta ondorioz, konmutazio-inpedantzia ezaugarrien hedapena da.
MOSFET korronte txikiko berokuntza larriagoa da nola konpondu?
1.lortu MOSFET bero-esklusioaren diseinu-programa, lagundu bero-husketa kopuru jakin bati.
2.Itsatsi beroa baztertzeko kola.
Argitalpenaren ordua: 2024-07-11
