MOSFETakasko erabiltzen dira. Orain eskala handiko zirkuitu integratu batzuk erabiltzen dira MOSFET, oinarrizko funtzioa eta BJT transistorea, kommutazio eta anplifikazio dira. Funtsean, BJT triodoa erabil daitekeen tokian erabil daiteke, eta leku batzuetan errendimendua triodoa baino hobea da.
MOSFETen anplifikazioa
MOSFET eta BJT triodoa, nahiz eta erdieroaleen anplifikadorearen gailu biak, baina triodoa baino abantaila gehiago, hala nola sarrerako erresistentzia handia, seinale iturria ia korronterik gabe, sarrerako seinalearen egonkortasunerako lagungarria dena. Gailu ezin hobea da sarrerako etapa anplifikadore gisa, eta zarata baxuaren eta tenperaturaren egonkortasun onaren abantailak ere baditu. Askotan audio-anplifikazio-zirkuituetarako aurreanplifikadore gisa erabiltzen da. Hala ere, tentsioz kontrolatutako korronte gailu bat denez, drainatze-korrontea ate-iturriaren arteko tentsioaren arabera kontrolatzen da, maiztasun baxuko transkonduktantziaren anplifikazio-koefizientea, oro har, ez da handia, beraz, anplifikazio-gaitasuna eskasa da.
MOSFET-en aldaketa-efektua
Etengailu elektroniko gisa erabiltzen den MOSFET-a, polioi-eroankortasunean soilik oinarritzen delako, ez dago BJT triodorik oinarrizko korronteagatik eta karga biltegiratzeko efektuagatik, beraz, MOSFET-en aldatze-abiadura triodoa baino azkarragoa da, aldatzeko hodi gisa. maiztasun handiko korronte handiko aldietarako erabiltzen da, hala nola, MOSFETean erabiltzen den elikadura-iturria aldatzeko lanaren maiztasun handiko korronte handiko egoeran. BJT triodo etengailuekin alderatuta, MOSFET etengailuak tentsio eta korronte txikiagoetan funtziona ditzakete, eta errazagoak dira siliziozko obleetan integratzeko, beraz, oso erabiliak dira eskala handiko zirkuitu integratuetan.
Zeintzuk diren neurriak erabiltzeanMOSFETak?
MOSFETak triodoak baino delikatuagoak dira eta erabilera desegokiagatik erraz honda daitezke, beraz, kontu berezia izan behar da horiek erabiltzean.
(1) Beharrezkoa da MOSFET mota egokia hautatzea erabilera desberdinetarako.
(2) MOSFETek, batez ere isolatutako ate MOSFETek, sarrerako inpedantzia handia dute, eta elektrodo bakoitzerako laburtu behar dira erabiltzen ez direnean, hodiari kalteak ekiditeko atearen induktantzia kargaren ondorioz.
(3) Junction MOSFETen ate-iturriaren tentsioa ezin da alderantzikatu, baina zirkuitu irekiko egoeran gorde daiteke.
(4) MOSFETaren sarrerako inpedantzia handia mantentzeko, hodia hezetasunetik babestu eta lehor mantendu behar da erabilera-ingurunean.
(5) MOSFETarekin kontaktuan dauden objektu kargatuak (esaterako, soldadura, proba-tresnak, etab.) hodiari kalterik egin ez diezaion. Batez ere ate isolatu MOSFET soldatzean, iturriaren arabera - atea soldatzeko ordena sekuentzialaren arabera, hobe da itzali ondoren soldatzea. Soldagailuaren potentzia 15 ~ 30W-ra egokia da, soldadura denborak ez du 10 segundo baino gehiago izan behar.
(6) MOSFET ate isolatua ezin da multimetro batekin probatu, probagailu batekin bakarrik probatu daiteke eta probagailura sartu ondoren elektrodoen zirkuitulaburra kableatua kentzeko. Kendutakoan, beharrezkoa da elektrodoak zirkuitu laburtzea kendu aurretik, atea gainditzea saihesteko.
(7) ErabiltzerakoanMOSFETaksubstratu-hariekin, substratu-hariek behar bezala konektatuta egon behar dute.
Argitalpenaren ordua: 2024-04-23
