Zirkuitu-diseinatzaileek galdera bat kontuan izan behar dute MOSFETak aukeratzerakoan: P kanaleko MOSFET edo N kanaleko MOSFET aukeratu behar al dute? Fabrikatzaile gisa, zure produktuak prezio baxuagoetan beste merkatari batzuekin lehiatzea nahi behar duzu eta, gainera, behin eta berriz konparaketak egin behar dituzu. Beraz, nola aukeratu? OLUKEY, 20 urteko esperientzia duen MOSFET fabrikatzaileak, zurekin partekatu nahi du.
1. aldea: eroapen-ezaugarriak
N kanaleko MOSen ezaugarriak Vgs balio jakin bat baino handiagoa denean piztuko dela dira. Iturria lurreratuta dagoenean erabiltzeko egokia da (baxuko diskoa), betiere atearen tentsioa 4V edo 10V-ra iristen den bitartean. P kanaleko MOSen ezaugarriei dagokienez, Vgs balio jakin bat baino txikiagoa denean piztuko da, hau da, iturria VCCra (gama handiko unitatea) konektatuta dagoen egoeretarako egokia.
2. aldea:MOSFETgalera aldatzea
N kanaleko MOS edo P kanaleko MOS den ala ez, piztu ondoren erresistentzia bat dago, beraz, korronteak energia kontsumituko du erresistentzia horretan. Kontsumitzen den energiaren zati honi eroapen-galera esaten zaio. On-erresistentzia txikia duen MOSFET bat aukeratzeak eroapen-galera murriztuko du, eta egungo potentzia baxuko MOSFETen on-erresistentzia hamarnaka miliohm ingurukoa da, eta hainbat miliohm ere badaude. Gainera, MOS piztu eta itzaltzen denean, ez da berehala osatu behar. Prozesu txikiago bat dago, eta korronte korronteak ere gero eta prozesu handiagoa du.
Tarte horretan, MOSFET-en galera tentsioaren eta korrontearen arteko biderkadura da, kommutazio-galera deritzona. Normalean konmutazio-galerak eroapen-galerak baino askoz ere handiagoak dira, eta zenbat eta kommutazio-maiztasuna handiagoa izan, orduan eta galerak handiagoak dira. Tentsioaren eta korrontearen produktua eroapen unean oso handia da, eta eragindako galera ere oso handia da, beraz, kommutazio-denbora laburtzeak eroapen bakoitzean galera murrizten du; kommutazio-maiztasuna murrizteak denbora-unitateko etengailu kopurua murriztu dezake.
Hiru aldea: MOSFET erabilera
P kanaleko MOSFETen zuloen mugikortasuna txikia da, beraz, MOSFETaren tamaina geometrikoa eta funtzionamendu-tentsioaren balio absolutua berdinak direnean, P kanaleko MOSFETaren transeroankortasuna N kanaleko MOSFETena baino txikiagoa da. Horrez gain, P kanaleko MOSFETen atalase-tentsioaren balio absolutua nahiko altua da, eta funtzionamendu-tentsio handiagoa behar du. P kanaleko MOS-ek swing logiko handia du, karga eta deskarga prozesu luzea eta gailuaren transkonduktantzia txikia, beraz, bere funtzionamendu-abiadura txikiagoa da. N kanaleko MOSFET sortu ondoren, horietako gehienak N kanaleko MOSFETek ordezkatu dituzte. Hala ere, P kanaleko MOSFET-ek prozesu sinplea eta merkea denez, eskala ertain eta txikiko kontrol-zirkuitu digital batzuek PMOS zirkuitu teknologia erabiltzen dute oraindik.
Ados, hori guztia OLUKEY, MOSFET ontzien fabrikatzailea den gaurko partekatzeko. Informazio gehiago lortzeko, webgunean aurki gaitzakezuOLUKEYwebgune ofiziala. OLUKEY-k 20 urte daramatza MOSFET-en zentratu eta egoitza Shenzhen, Guangdong probintzian, Txinan du. Batez ere, korronte handiko eremu-efektuko transistoreetan, potentzia handiko MOSFETetan, pakete handietan, tentsio txikiko MOSFETetan, pakete txikietan, korronte txikiko MOSFETetan, MOS eremu-efektuko hodietan, ontziratutako MOSFETetan, potentzia MOS, MOSFET paketeetan, MOSFET originaletan, MOSFET ontziratuetan, etab. Produktu eragile nagusia WINSOK da.
Argitalpenaren ordua: 2023-12-17
