Begiratu MOSFETei

MOSFETak MOSFET isolatzaileak dira zirkuitu integratuetan.MOSFETak, oinarrizko gailuetako bat baita.erdieroalea eremuan, oso erabiliak dira plaka-mailako zirkuituetan eta baita IC diseinuan ere.MOSFETak truka daitezke, eta N motako eskualdea duen P motako backgate batean eratzen dira. Oro har, bi iturriak trukagarriak dira, biak N motako eskualdea osatzen duteP motako atzeko atea. Oro har, bi zona hauek berdinak dira, eta bi atal horiek aldatuta ere, gailuaren errendimenduari ez zaio eragingo. Beraz, gailua simetrikotzat hartzen da.

Printzipioa:

MOSFET-ek VGS erabiltzen du "induzitutako karga" kopurua kontrolatzeko "induzitutako karga" horiek osatzen duten kanal eroalearen egoera aldatzeko, drainatze-korrontea kontrolatzeko. MOSFETak fabrikatzen direnean, ioi positibo ugari agertzen dira geruza isolatzailean prozesu berezien bidez, interfazearen beste aldean karga negatibo gehiago antzeman daitezke, eta iragazkortasun handiko ezpurutasunen N eskualdea konektatzen da. karga negatibo horiek, eta kanal eroalea sortzen da, eta drain-korronte handi samarra, ID, sortzen da, nahiz eta VGS 0 izan. Atearen tentsioa aldatzen bada, kanalean induzitutako karga-kopurua ere aldatzen da eta zabalera. kanal eroalea neurri berean aldatzen da. Atearen tentsioa aldatzen bada, kanalean eragindako karga-kopurua ere aldatuko da, eta kanal eroaleko zabalera ere aldatuko da, beraz, drainatze-korrontearen IDa ate-tentsioarekin batera aldatuko da.

Rola:

1. Zirkuitu anplifikatzailean aplika daiteke. MOSFET anplifikadorearen sarrerako inpedantzia handia dela eta, akoplamenduaren kapazitatea txikiagoa izan daiteke eta ezin dira kondentsadore elektrolitikoak erabili.

Sarrerako inpedantzia handia inpedantzia bihurtzeko egokia da. Askotan inpedantzia bihurtzeko erabiltzen da etapa anitzeko anplifikadoreen sarrerako fasean.

3、 Erresistentzia aldakor gisa erabil daiteke.

4, etengailu elektroniko gisa erabil daiteke.

MOSFETak aplikazio ugaritan erabiltzen dira gaur egun, telebistetako maiztasun handiko buruak eta elikatze-iturri kommutatoriak barne. Gaur egun, transistore arrunt bipolarrak eta MOS konbinatzen dira IGBT (isolated gate bipolar transistor) sortzeko, potentzia handiko eremuetan asko erabiltzen dena, eta MOS zirkuitu integratuak potentzia-kontsumo baxuaren ezaugarria dute, eta orain CPUak oso erabiliak dira. MOS zirkuituak.