MOSFETak (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) guztiz kontrolatutako gailutzat hartzen dira askotan. Hau da MOSFETaren funtzionamendu-egoera (piztuta edo itzalita) ate-tentsioak (Vgs) erabat kontrolatzen duelako eta ez baitago oinarrizko korrontearen menpe transistore bipolarren (BJT) kasuan bezala.
MOSFET batean, Vgs ate-tentsioak iturburuaren eta drainatzearen artean kanal eroale bat eratzen den zehazten du, baita kanal eroalearen zabalera eta eroankortasuna ere. Vgs-k Vt atalase-tentsioa gainditzen duenean, kanal eroalea eratzen da eta MOSFET-a on-egoeran sartzen da; Vgs Vt azpitik jaisten denean, kanal eroalea desagertzen da eta MOSFET-a ebaki-egoeran dago. Kontrol hau guztiz kontrolatuta dago, atearen tentsioak modu independentean eta zehatzean kontrolatu dezakeelako MOSFETaren funtzionamendu-egoera beste korronte edo tentsio parametroetan fidatu gabe.
Aitzitik, erdi kontrolatutako gailuen funtzionamendu-egoeran (adibidez, tiristoreak) kontrol-tentsioak edo korronteak bakarrik eragiten du, baita beste faktore batzuek ere (adibidez, anodo-tentsioa, korrontea, etab.). Ondorioz, guztiz kontrolatutako gailuek (adibidez, MOSFETak) errendimendu hobea eskaintzen dute kontrol-zehaztasunari eta malgutasunari dagokionez.
Laburbilduz, MOSFETak guztiz kontrolatutako gailuak dira, funtzionamendu-egoera atearen tentsioak guztiz kontrolatzen duen eta doitasun handiko, malgutasun handiko eta potentzia-kontsumo baxuaren abantailak dituzte.
Argitalpenaren ordua: 2024-09-20
