MOSFET onaren eta txarraren arteko desberdintasuna adierazteko bi modu daude:
Lehenengoa: kualitatiboki bereiztea abantailak eta desabantailakMOSFETak
Lehenik eta behin, erabili multimetroa R × 10kΩ blokea (9V edo 15V-ko bateria kargagarria txertatua), boligrafo negatiboa (beltza) atearekin konektatuta (G), luma positiboa (gorria) iturrira konektatuta (S). Aterako, erdiko bateria kargaren iturria, orduanmultimetroa orratzak desbideratze arina du. Ondoren, aldatu multimetro R × 1Ω blokera,negatiboa luma hustubidera (D), luma positiboa iturrira (S), multimetroa etiketatutako balioa ohm gutxiko ama bada, MOSFET ona dela erakusten du.
Bigarrena: bidegurutze MOSFETen maila elektrikoa kualitatiboki ebazteaMultimetroa R × 100 fitxategira markatuko da, boligrafo gorria ausaz oin-hodi batera konektatuta, boligrafo beltza beste oin-hodi batera konektatuta dago, hirugarren oina airean zintzilik egon dadin. Orratzak apur bat dardarka duela aurkitzen baduzu, atearen hirugarren oina dela baieztatzen da. Benetako efektuaren behaketa esanguratsuagoa lortzeko, baina baita bibrazio elektronikoa ere aire-oinetan zintzilik dagoen hatz-ukitu batekin edo hatz-ukitu batekin, desbideratze handi baterako orratza ikusteko, hau da, aire-oinetan zintzilik atea dela adieraziz. , beste bi oinak iturria eta hustubidea ziren.
Arrazoi bereizgarriak:
JFET-en sarrerako erresistentzia 100MΩ baino gehiago da, eta transeroankortasuna oso altua da, ate barruko espazioko eremu magnetikoa oso erraza denean laneko tentsioko datu-seinalea magnetikoki eragitea atean, hodiak gora edo joera izan dezan. on-off izateko. Gorputzaren indukzio-tentsioa berehala gehitzen bazaio ateari, gako interferentzia elektromagnetikoa indartsua delako, goiko egoera gero eta esanguratsuagoa izango da. Neurgailuaren orratza desbideratze handi baten ezkerrean badago, hodiaren izenean, drainatze-iturburuko erresistentzia RDS hedapena, drainatze-iturburuko IDS murrizten duen korrontearen zenbatekoa. aitzitik, desbideratze handi baten eskuinean dagoen neurgailuko orratza, hodiak pizteko joera duela adieraziz, RDS ↓, IDS ↑. Hala eta guztiz ere, neurgailuaren orratzak desbideratze-noranzkoaren amaieran, induzitutako tentsioaren polo positibo eta negatiboen (lan-tentsioaren noranzko positiboa edo lan-tentsioaren alderantzizko norabidea) eta altzairuzko hodiaren funtzionamendu-puntuaren araberakoa izan behar da.
Oharra:
(1) Esperimentuak erakusten du bi eskuak D eta S poloetatik isolatuta daudenean eta atea bakarrik ukitzen denean, orratza orokorrean ezkerrera desbideratzen dela. Hala ere, bi eskuek D, S-zulo bakoitza ukitzen badute eta hatzak atea ukitzen badute, orratzaren desbideratzea eskuinera ikus daiteke. Oinarrizko kausa MOSFETeko posizio eta erresistentzia batzuen gorputzak erreferentzia-puntuaren efektua du, saturazio-egoeraren eremuan sartu dadin.
Argitalpenaren ordua: 2024-07-22
