Kapsulatutako MOSFETak erabiliz elikadura-iturri kommutazio bat edo motorra gidatzeko zirkuitu bat diseinatzean, jende gehienek MOS-en erresistentzia, tentsio maximoa, etab., korronte maximoa, etab. kontuan hartzen dituzte, eta asko dira faktore hauek bakarrik kontuan hartzen dituztenak. Zirkuitu horiek funtziona dezakete, baina ez dira bikainak eta ez dira onartzen produktuen diseinu formal gisa.
Honako hau MOSFET-en oinarrien laburpen txiki bat da etaMOSFETgidariaren zirkuituak, iturri batzuei erreferentzia egiten diet, ez guztiak jatorrizkoak. MOSFETak, ezaugarriak, unitateak eta aplikazio zirkuituak sartzea barne. MOSFET motak eta juntura MOSFET ontziratzea FET bat da (beste JFET bat), hobetu edo agortu mota batean fabrikatu daiteke, P kanala edo N kanala guztira lau motatan, baina N kanaleko MOSFET hobetua eta P hobetua soilik aplikatzen da. -channel MOSFET, beraz, normalean NMOS gisa aipatzen da, edo PMOS bi mota hauei erreferentzia egiten die.
Zergatik ez erabili agortze motako MOSFETak, ez da gomendagarria hondoraino iristea. Hobekuntza MOSFET bi mota hauetarako, NMOS gehiago erabiltzen da erresistentzia txikia duelako eta fabrikatzeko erraztasunagatik. Beraz, elikadura-hornidura eta motorra eramateko aplikazioak aldatzeko, orokorrean erabili NMOS. hurrengo sarrera, baina baita gehiago ereNMOS-oinarritutako.
MOSFETek hiru pinen arteko kapazitate parasitoa dute, eta hori ez da beharrezkoa, baina fabrikazio-prozesuaren mugak direla eta. Diseinuan edo hautatzean kapazitate parasitoaren existentzia disko zirkuituaren arazo batzuk izan behar dira, baina ez dago saihesteko modurik, eta, ondoren, xehetasunez deskribatu. MOSFET eskeman ikus dezakezun bezala, drainatzearen eta iturriaren artean diodo parasito bat dago.
Horri gorputz-diodo deritzo eta garrantzitsua da karga induktiboak gidatzeko, hala nola motorrak. Bide batez, gorputz-diodoa banakakoan bakarrik dagoMOSFETaketa normalean ez dago zirkuitu integratuko txiparen barruan.MOSFET ON EzaugarriakOn-ek etengailu gisa jardutea esan nahi du, hau da, etengailuaren itxiera baten parekoa da.
NMOS ezaugarriak, balio jakin bat baino Vgs handiagoak eramango ditu, iturria lurreratuta dagoenean erabiltzeko egokiak (baxuko diskoa), betiere 4V edo 10V-ko ate-tentsioa. PMOS ezaugarriak, balio jakin bat baino Vgs txikiagoak eramango ditu, iturria VCC (gama handiko unitatea) konektatuta dagoenean erabiltzeko egokia. Hala eta guztiz ere, PMOS amaiera handiko kontrolatzaile gisa erraz erabil daitekeen arren, NMOS normalean goi mailako gidarietan erabiltzen da erresistentzia handia, prezio altua eta ordezko mota gutxi direlako.
MOSFET konmutazio-hodiaren galera ontziratzea, NMOS edo PMOS den, eroapenaren ondoren on-erresistentzia existitzen den, beraz, korronteak erresistentzia horretan energia kontsumituko du, kontsumitutako energiaren zati honi eroapen-galera deritzo. On-erresistentzia txikia duen MOSFET bat hautatzeak eroapen-galera murriztuko du. Gaur egun, potentzia txikiko MOSFETen on-erresistentzia hamarnaka miliohm ingurukoa da, eta miliohm gutxi batzuk ere eskuragarri daude. MOS ez da istant batean osatu behar eroan eta mozten denean. MOSaren bi aldeetako tentsioak bat du. murrizteko prozesua, eta bertatik igarotzen den korronteak handitzeko prozesua du.Denbora horretan, MOSFETaren galera tentsioaren eta korrontearen arteko biderkadura da, eta konmutazio-galera deritzo. Normalean konmutazio-galera eroapen-galera baino askoz handiagoa da, eta zenbat eta azkarrago kommutazio-maiztasuna, orduan eta handiagoa da galera. Tentsioaren eta korrontearen produktua eroapen unean oso handia da, galera handiak eragiten ditu.
Kommutazio-denbora laburtzeak eroapen bakoitzean galera murrizten du; kommutazio-maiztasuna murrizteak denbora-unitateko etengailu kopurua murrizten du. Bi ikuspegi hauek aldatze-galerak murriztu ditzakete. Tentsioaren eta korrontearen produktua eroapen unean handia da, eta ondoriozko galera ere handia da. Kommutazio-denbora laburtzeak eroapen bakoitzean galera murriztu dezake; kommutazio-maiztasuna murrizteak denbora-unitateko etengailu kopurua murriztu dezake. Bi ikuspegi hauek aldatze-galerak murriztu ditzakete. Gidatzea Transistore bipolarrekin alderatuta, orokorrean uste da ez dela korronterik behar paketaturiko MOSFET bat pizteko, betiere GS tentsioa balio jakin baten gainetik badago. Hau egiteko erraza da, baina, abiadura ere behar dugu. Kapsulatutako MOSFETaren egitura GS, GD arteko kapazitate parasitoaren presentzian ikus daiteke eta MOSFETaren gidatzea da, hain zuzen ere, kapazitatea kargatzea eta deskargatzea. Kondentsadorea kargatzeko korronte bat behar da, kondentsadorea berehala kargatzea zirkuitu labur gisa ikus daitekeelako, beraz, berehalako korrontea handiagoa izango da. MOSFET kontrolatzailea hautatzeko/diseinatzerakoan kontuan hartu beharreko lehen gauza eman daitekeen berehalako zirkuitu-labur-korrontearen tamaina da.
Kontuan izan behar den bigarren gauza da, orokorrean goi-mailako disko NMOSetan erabiltzen dena, garaiko atearen tentsioak iturriko tentsioa baino handiagoa izan behar duela. Goi-mailako disko MOSFET eroapen-iturriaren tentsioa eta drainatze-tentsioa (VCC) berdinak dira, beraz, VCC 4 V edo 10 V baino ate-tentsioa. Sistema berean bada, VCC baino tentsio handiagoa lortzeko, espezializatu behar dugu. zirkuituak indartzeko. Motor-gidari askok karga-ponpak integratu dituzte, kontuan izan behar da kanpoko kapazitate egokia aukeratu behar duzula MOSFET-a gidatzeko zirkuitu labur-korronte nahikoa lortzeko. 4V edo 10V normalean MOSFETen egoera-tentsioan erabiltzen da, noski, diseinuak marjina jakin bat izan behar du. Zenbat eta tentsio handiagoa izan, orduan eta azkarragoa izango da on-egoeraren abiadura eta orduan eta txikiagoa da on-egoeraren erresistentzia. Gaur egun, eremu ezberdinetan erabiltzen diren on-state tentsio txikiagoa duten MOSFETak daude, baina 12V automozioko sistema elektronikoetan, oro har, 4V on-egoera nahikoa da.MOSFET disko zirkuitua eta bere galera.
Argitalpenaren ordua: 2024-04-20
