MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) hiru polo ditu:
Atea:G, MOSFET baten atea transistore bipolar baten oinarriaren baliokidea da eta MOSFETaren eroankortasuna eta mozketa kontrolatzeko erabiltzen da. MOSFETetan, ate-tentsioak (Vgs) iturburuaren eta drainatzearen artean kanal eroale bat sortzen den ala ez zehazten du, baita kanal eroalearen zabalera eta eroankortasuna ere. Atea metala, polisilicioa, etab. bezalako materialez egina dago, eta geruza isolatzaile batez inguratuta dago (normalean silizio dioxidoa), korrontea zuzenean ate barrura edo atera ez dadin.
Iturria:S, MOSFET baten iturburua transistore bipolar baten igorlearen baliokidea da eta hortik igarotzen da korrontea. N kanaleko MOSFETetan, iturria elikadura-iturriaren terminal negatibora (edo lurrera) konektatzen da normalean, P kanaleko MOSFETetan, berriz, iturria elikadura-iturriaren terminal positibora konektatzen da. Iturria kanal eroalea osatzen duen atal nagusietako bat da, eta elektroiak (N kanala) edo zuloak (P kanala) drainatzera bidaltzen ditu atearen tentsioa nahikoa altua denean.
Hustuketa:D, MOSFET baten draina transistore bipolar baten kolektorearen baliokidea da eta korrontea sartzen da bertan. Hustubidea kargara konektatuta egon ohi da eta zirkuituan korronte irteera gisa jokatzen du. MOSFET batean, draina kanal eroalearen beste muturra da, eta atearen tentsioak iturriaren eta drainatzearen arteko kanal eroalearen eraketa kontrolatzen duenean, korrontea iturritik kanal eroaletik drainera igaro daiteke.
Laburbilduz, MOSFET baten atea pizten eta itzaltzeko erabiltzen da, iturria korrontea ateratzen den tokian dago eta draina da korrontea sartzen den lekuan. Elkarrekin, hiru polo hauek MOSFETaren funtzionamendu egoera eta errendimendua zehazten dituzte. .
Argitalpenaren ordua: 2024-09-26
