IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) eta MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) potentzia elektronikan oso erabiliak diren potentzia erdieroaleen bi gailu dira. Biak aplikazio ezberdinetan funtsezko osagaiak diren arren, nabarmen desberdinak dira hainbat alderditan. Jarraian, IGBT eta MOSFETen arteko desberdintasun nagusiak daude:
1. Lan-printzipioa
- IGBT: IGBT-ak BJT (Bipolar Junction Transistor) eta MOSFET baten ezaugarriak konbinatzen ditu, gailu hibrido bat eginez. BJT-aren oinarria MOSFET baten ate-tentsioaren bidez kontrolatzen du, eta, aldi berean, BJT-ren eroapena eta mozketa kontrolatzen ditu. IGBT baten eroantze- eta mozketa-prozesuak nahiko konplexuak diren arren, eroantze-tentsio-galera txikiak eta tentsio handiko tolerantzia ditu.
- MOSFET: MOSFET eremu-efektuko transistore bat da, erdieroale bateko korrontea ate-tentsioaren bidez kontrolatzen duena. Atearen tentsioak iturriko tentsioa gainditzen duenean, geruza eroale bat sortzen da, korrontea igarotzen utziz. Alderantziz, atearen tentsioa atalasearen azpitik dagoenean, geruza eroalea desagertzen da, eta korrontea ezin da joan. MOSFET baten funtzionamendua nahiko sinplea da, aldatzeko abiadura azkarrekin.
2. Aplikazio-eremuak
- IGBT: Tentsio handiko tolerantzia, eroankortasun-tentsio-galera baxua eta etendura azkarreko errendimendua direla eta, IGBT bereziki egokia da potentzia handiko eta galera baxuko aplikazioetarako, hala nola inbertsoreak, motor-kontrolatzaileak, soldadura-makinak eta etenik gabeko elikadura-hornidurak (UPS). . Aplikazio hauetan, IGBTk modu eraginkorrean kudeatzen ditu tentsio handiko eta korronte handiko kommutazio-eragiketak.
- MOSFET: MOSFET-a, bere erantzun azkarra, sarrerako erresistentzia handia, kommutazio-errendimendu egonkorra eta kostu baxuarekin, oso erabilia da potentzia baxuko eta aldatzeko azkarreko aplikazioetan, hala nola etengailu moduko elikadura-iturri, argiztapen, audio-anplifikadore eta zirkuitu logikoetan. . MOSFETek oso ondo funtzionatzen du potentzia baxuko eta tentsio baxuko aplikazioetan.
3. Errendimenduaren Ezaugarriak
- IGBT: IGBT goi-tentsioko eta korronte handiko aplikazioetan nabarmentzen da eroapen-galera txikiagoekin potentzia handia maneiatzeko duen gaitasunagatik, baina kommutazio-abiadura motelagoak ditu MOSFETekin alderatuta.
- MOSFETak: MOSFETak konmutazio-abiadura azkarragoak, eraginkortasun handiagoak tentsio baxuko aplikazioetan eta potentzia-galerak txikiagoak dira kommutazio-maiztasun handiagoetan.
4. Trukagarritasuna
IGBT eta MOSFET helburu ezberdinetarako diseinatu eta erabiltzen dira eta normalean ezin dira trukatu. Erabili behar den gailuaren aukeraketa aplikazioaren, errendimendu-baldintzen eta kostuen araberakoa da.
Ondorioa
IGBT eta MOSFET funtzionamendu-printzipioari, aplikazio-eremuei eta errendimendu-ezaugarriei dagokienez nabarmen desberdinak dira. Desberdintasun hauek ulertzeak potentzia elektronikoaren diseinurako gailu egokia hautatzen laguntzen du, errendimendu optimoa eta kostu-eraginkortasuna bermatuz.
Argitalpenaren ordua: 2024-09-21
