N mota, P motako MOSFET esentziaren funtzionamendu-printzipioa berdina da, MOSFET batez ere atearen tentsioaren sarreran gehitzen da drainatze-korrontearen irteerako aldea behar bezala kontrolatzeko, MOSFET tentsio kontrolatutako gailu bat da, gehitutako tentsioaren bidez. ateari gailuaren ezaugarriak kontrolatzeko, triodoak ez bezala, karga biltegiratze efektuak eragindako oinarrizko korrontearen ondorioz aldatzeko denbora egiteko, aldatzeko aplikazioetan, MOSFET-en aldaketa aplikazioetan,MOSFET-ak aldatzeko abiadura triodoarena baino azkarragoa da.
Aldaketa-horniduran, normalean erabiltzen den MOSFET drainatze-zirkuitu irekian, hustubidea kargara konektatzen da, hustubide irekia deitzen da, drainatze zirkuitu irekia, karga tentsioa zenbaterainokoa den konektatuta dago, pizteko gai da, itzaltzeko. karga-korrontea, kommutazio analogikoko gailu aproposa da, hau da, MOSFET-en printzipioa kommutazio-gailuak egiteko, MOSFET-a zirkuitu gehiagoren moduan aldatzeko.
Elektrizitate-hornidura aldatzeko aplikazioei dagokienez, aplikazio honek eskatzen du MOSFETak aldizka egiteko, itzali, hala nola, oinarrizko buck bihurgailuetan erabili ohi den DC-DC elikadura hornidura bi MOSFETetan oinarritzen da etengailu-funtzioa egiteko, etengailu hauek txandaka induzituan energia gordetzeko, energia kargarako askatu, sarritan aukeratzen dute. ehunka kHz edo are 1 MHz baino gehiago, batez ere zenbat eta maiztasun handiagoa orduan eta osagai magnetikoak txikiagoak direlako. Funtzionamendu arruntean, MOSFET eroale baten baliokidea da, adibidez, potentzia handiko MOSFETak, tentsio txikiko MOSFETak, zirkuituak, elikadura hornidura MOSaren eroankortasun-galera minimoa da.
MOSFET PDF parametroak, MOSFET fabrikatzaileek RDS (ON) parametroa ongi hartu dute egoera on-inpedantzia definitzeko, aplikazioak aldatzeko, RDS (ON) da gailuaren ezaugarri garrantzitsuena; datu-orriek RDS (ON) definitzen dute, VGS atearen (edo unitatearen) tentsioa eta etengailutik igarotzen den korrontea erlazionatuta daude, atearen unitate egokirako, RDS (ON) parametro nahiko estatikoa da; Eroabidean egon diren MOSFETek beroa sortzeko joera dute, eta poliki-poliki juntura-tenperatura handitzeak RDS (ON) areagotzea ekar dezake;MOSFET datu-orriek inpedantzia termikoaren parametroa zehazten dute, hau da, MOSFET paketearen juntura erdieroaleak beroa xahutzeko duen gaitasuna bezala definitzen da, eta RθJC junction-to-case inpedantzia termiko gisa definitzen da.
1, maiztasuna altuegia da, batzuetan bolumena gehiegi egiteak, zuzenean maiztasun handia ekarriko du, MOSFET-ek galera handitzen du, zenbat eta bero handiagoa izan, ez dute lan ona egiten beroa xahutzeko diseinu egokia, korronte handia, nominala. MOSFETaren egungo balioa, lortu ahal izateko beroaren xahupen ona izateko beharra; ID korronte maximoa baino txikiagoa da, bero larria izan daiteke, berogailu osagarri egokiak behar dira.
2, MOSFET hautapen akatsak eta akatsak potentzia-judizioan, MOSFETen barne-erresistentzia ez da guztiz kontuan hartzen, zuzenean konmutazio-inpedantzia handitzea ekarriko du MOSFETen berokuntza-arazoei aurre egiteko.
3, zirkuituaren diseinu-arazoak direla eta, beroa eraginez, MOSFETak funtzionamendu-egoera linealean funtziona dezan, ez konmutazio-egoeran, hau da, MOSFETen beroketaren kausa zuzena, adibidez, N-MOS-ek aldatzea, G- maila-tentsioa elikadura-hornidura baino V batzuk baino handiagoa izan behar da, guztiz eroateko gai izan dadin, P-MOS desberdina da; guztiz irekita egon ezean, tentsio-jaitsiera handiegia da, eta horrek potentzia-kontsumoa eragingo du, DC inpedantzia baliokidea handiagoa da, tentsio-erorketa ere handituko da, U * I ere handituko da, galerak beroa ekarriko du.
Argitalpenaren ordua: 2024-01-01
