MOSFET kontrolatzailearen zirkuituaren eskakizunak

Argitaratze-ordua: 2024-07-24

Gaur egungo MOS gidariekin, aparteko hainbat baldintza daude:

1. Behe-tentsioko aplikazioa

5V-ko kommutazioa aplikatzeanelikadura hornidura, Une honetan, totem-polearen egitura tradizionalaren erabilera bada, triodoa 0.7V gora eta behera galera besterik ez delako, tentsioaren azken karga-ate espezifiko bat 4.3V baino ez da, une honetan, atearen tentsio baimendua erabiltzea. 4,5V-koaMOSFETak nolabaiteko arriskua dago.Egoera bera 3V edo tentsio baxuko beste etengailu elektriko batzuen aplikazioan ere gertatzen da.

MOSFET kontrolatzailearen zirkuituaren eskakizunak

2.Tentsio aplikazio zabala

Keying-tentsioak ez du balio numerikorik, noizean behin edo beste faktore batzuengatik aldatzen da. Aldakuntza honek PWM zirkuituak MOSFETari ematen dion disko-tentsioa ezegonkorra izatea eragiten du.

MOSFET-a ate-tentsio altuetan hobeto ziurtatzeko, MOSFET askok tentsio-erreguladoreak txertatu dituzte ate-tentsioaren magnitudearen muga behartzeko. Kasu honetan, disko-tentsioa erreguladorearen tentsioa gainditzera eramaten denean, funtzio estatikoen galera handia sortzen da.

Aldi berean, erresistentzia tentsio zatitzailearen oinarrizko printzipioa atearen tentsioa murrizteko erabiltzen bada, gertatuko da teklatutako tentsioa handiagoa bada, MOSFET-ak ondo funtzionatzen duela eta teklatuko tentsioa murrizten bada, atearen tentsioa ez da. nahikoa, piztea eta itzaltzea nahikoa ez izatearen ondorioz, eta horrek galera funtzionala hobetuko du.

MOSFET-en gainkorrontearen babes-zirkuitua elikadura-hornidura erretzearen istripuak saihesteko (1)

3. Tentsio bikoitzeko aplikazioak

Kontrol-zirkuitu batzuetan, zirkuituaren zati logikoak 5V edo 3.3V-ko datu-tentsio tipikoa aplikatzen du, irteerako potentzia zatiak 12V edo gehiago aplikatzen du, eta bi tentsioak lur komunera konektatuta daude.

Horrek argi uzten du elikadura-hornidura-zirkuitu bat erabili behar dela, tentsio baxuko aldeak tentsio handiko MOSFETak arrazoiz manipulatu dezan, eta tentsio handiko MOSFETak 1 eta 2.etan aipatutako zailtasun berdinei aurre egiteko gai izango den bitartean.

Hiru kasu hauetan, totem-polearen eraikuntzak ezin ditu irteera-eskakizunak bete, eta lehendik dauden MOS kontrolatzaileen IC askok ez dirudi atearen tentsioa mugatzen duen eraikuntzarik.