MOSFET Alderantzizko Zirkuitua

Lehenik eta behin, MOSFET alderantzizko zirkuituaren oinarrizko printzipioa

MOSFETen alderantzizko zirkuitua MOSFETaren etengailuaren ezaugarriak erabiliz, atearen (G) tentsioa kontrolatuz zirkuitua piztu eta itzaltzeko. Elikadura-horniduraren polaritatea zuzena denean, atearen tentsioak MOSFET-a eroapen-egoeran jartzen du, korrontea normalean joan daiteke; elikadura-horniduraren polaritatea alderantzikatzen denean, atearen tentsioak ezin du MOSFET eroapena egin, eta horrela zirkuitua moztu egiten da.

Bigarrenik, alderantzizko kontrako MOSFET zirkuitua berariazko gauzatzea

1. N kanaleko MOSFET alderantzizko zirkuitua

N kanaleko MOSFETak alderantzizko zirkuituak egiteko erabiltzen dira normalean. Zirkuituan, N kanaleko MOSFET-aren iturburua (S) kargaren terminal negatibora konektatzen da, draina (D) elikadura-iturriaren terminal positibora eta atea (G) konektatzen da. elikadura-iturriaren terminal negatiboa erresistentzia baten bidez edo kontrol-zirkuitu batek kontrolatua.

Aurrerako konexioa: elikadura-iturriaren terminal positiboa D-ra konektatzen da eta terminal negatiboa S-ra konektatuta. Une honetan, erresistentziak MOSFET-erako ate-iturriaren tentsioa (VGS) ematen du eta VGS atalasea baino handiagoa denean. MOSFETaren tentsioa (Vth), MOSFETak eroaten du eta korrontea elikadura-iturriaren terminal positibotik kargara pasatzen da MOSFETaren bidez.

Alderantzikatuta dagoenean: elikadura-iturriaren terminal positiboa S-ra konektatzen da eta terminal negatiboa D-ra konektatzen da. Une honetan, MOSFET-a mozketa-egoeran dago eta zirkuitua deskonektatuta dago karga kalteetatik babesteko atearen tentsioa delako. ez da gai MOSFET jokabidea egiteko nahikoa VGS osatzeko (VGS 0 baino txikiagoa edo Vth baino askoz txikiagoa izan daiteke).

2. Osagai laguntzaileen eginkizuna

Erresistentzia: MOSFETentzako ate-iturburuko tentsioa emateko eta atearen korrontea mugatzeko erabiltzen da atearen gainkorronte kalteak saihesteko.

Tentsio erregulatzailea: ate-iturriaren tentsioa altuegia izatea eta MOSFET-a apurtzea saihesteko erabiltzen den aukerako osagaia.

Diodo parasitoa: MOSFETaren barruan diodo parasito bat (gorputz diodoa) dago, baina bere efektua normalean baztertu edo saihesten da zirkuituaren diseinuak alderantzizko zirkuituetan duen eragin kaltegarria saihesteko.

Hirugarren, MOSFET alderantzizko zirkuituaren abantailak

Galera txikia: MOSFET-en erresistentzia txikia da, on-erresistentzia tentsioa murrizten da, beraz, zirkuituaren galera txikia da.

Fidagarritasun handia: alderantzizko funtzioa zirkuitu diseinu sinple baten bidez gauzatu daiteke, eta MOSFETak berak fidagarritasun maila handia du.

Malgutasuna: MOSFET eredu eta zirkuitu diseinu desberdinak hauta daitezke aplikazioen eskakizun desberdinak betetzeko.

Neurriak

MOSFET alderantzizko zirkuituaren diseinuan, MOSFETen aukeraketa aplikazioaren eskakizunak betetzeko, tentsioa, korrontea, aldatzeko abiadura eta beste parametro batzuk barne, ziurtatu behar duzu.

Zirkuituko beste osagai batzuen eragina kontuan hartu behar da, hala nola, kapazitantzia parasitoa, induktantzia parasitoa, etab., zirkuituaren errendimenduan eragin kaltegarriak ekiditeko.

Aplikazio praktikoetan, proba eta egiaztapen egokiak ere behar dira zirkuituaren egonkortasuna eta fidagarritasuna bermatzeko.

Laburbilduz, MOSFET alderantzizko zirkuitua elikadura hornidura babesteko eskema sinple, fidagarria eta galera baxua da, alderantzizko polaritatea prebenitzea eskatzen duten hainbat aplikaziotan oso erabilia.