MOSFET hobetuen ezaugarriak

BotereaMOSFET "MOSFET" izenekoa da ingelesezko "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" izenekoa. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap appparaat, sleutel door het metaal material, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, in ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de function van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht depletie type in licht depletie type, volgens het word in the kanabera. N-kanaal mota en P-kanaal mota.

Power MOSFET-en hitza da zure zirkuituen zirkuituen gainean. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) is ook een kritieke apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. Datuei buruzko informazioaren gidaliburua definieert RDS(ON) in the beddrijfsspanning van de gate, VGS, in the stoom the door of vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) da erlazionatutako estatistika-parametroak gate drive to voldoende.

Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET-ak paralelo laten werken en moeten meerdere aparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Besteak beste, MOSFET-en serieko RDS(ON) schakelen zodat-en berri eman ahal izango dira.

Naast RDS(ON), in hele process for MOSFET selectie, zijn er ook een aantal MOSFET parameters zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. Gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Zure MOSFET-ek ezkutatu ahal izateko SOA definitzeko aukera izango duzu.

Goiko karga-baldintzetarako, funtzionamendu-tentsio handiagoa kalkulatu (edo neurtu) eta, ondoren, % 20 eta % 30 arteko marjina utzi ondoren, MOSFETaren beharrezko korronte nominala VDS balioa zehaztu dezakezu. Hona hemen esan behar da, kostu sendoagoa eta ezaugarri leunagoak lortzeko, korronte korronte serieko korronte diodoak eta induzitzaileak hauta ditzakeela korronte kontrol-begiztaren osaeraren itxieran, korronte induktiboko energia zinetikotik askatu ahal izateko. MOSFET. korronte nominala argia da, korrontea ondorioztatu daiteke. Baina hemen bi parametro hartu behar dira kontuan: bata korrontearen balioa etengabeko funtzionamenduan eta pultsu bakarreko korronte pikoaren baliorik altuena da (Spike eta Surge), bi parametro hauek zenbateko balio nominala aukeratu behar duzun erabakitzeko. egungo balioa.