Oinarrizko MOSFETen identifikazioa eta probak

1.Junction MOSFET pinaren identifikazioa

Duen ateaMOSFET transistorearen oinarria da, eta draina eta iturria biltzailea eta igorlea diradagokion transistorea. Multimetroa R × 1k engranajerako, bi boligrafoekin bi pinen arteko aurrera eta atzerako erresistentzia neurtzeko. Bi pin aurrerako erresistentzia = alderantzizko erresistentzia = KΩ, hau da, S iturrirako eta D drainerako bi pinak, gainerako pina G atea da. 4 pin bat bada.lotune MOSFET, beste poloa lurreko ezkutuaren erabilera da.

MOSFETen oinarrizko identifikazioa eta probak 拷贝

2.Zehaztu atea　

Multimetroaren boligrafo beltzarekin MOSFET-a ausazko elektrodo bat ukitzeko, boligrafo gorria beste bi elektrodoak ukitzeko. Bi neurtutako erresistentzia txikia bada, biak erresistentzia positiboa direla adieraziz, hodia N kanaleko MOSFETari dagokio, boligrafoaren kontaktu beltz bera ere atea da.

Ekoizpen-prozesuak erabaki du MOSFETen hustubidea eta iturria simetrikoa dela, eta elkarren artean trukatu daitekeela eta ez du zirkuituaren erabileran eragingo, zirkuitua ere normala da une honetan, beraz, ez dago joan beharrik. gehiegizko bereizketari. Hustubidearen eta iturriaren arteko erresistentzia mila ohmio gutxikoa da. Ezin da metodo hau erabili MOSFET motako ate isolatuaren atea zehazteko. MOSFET honen sarreraren erresistentzia oso altua denez eta atearen eta iturriaren arteko kapazitate interpolararen oso txikia denez, karga kopuru txiki baten neurketa interpolarraren gainean sor daiteke. Oso tentsio altuaren kapazitatea, MOSFET-a oso erraza izango da kaltetzen.

MOSFETen oinarrizko identifikazioa eta probak(1)

3.MOSFETen anplifikazio-gaitasuna kalkulatzea

Multimetroa R × 100-n ezartzen denean, erabili boligrafo gorria S iturburua konektatzeko eta erabili boligrafo beltza D draina konektatzeko, hau da, MOSFET-ari 1,5 V-ko tentsioa gehitzea bezala. Une honetan orratzak DS poloaren arteko erresistentzia balioa adierazten du. Une honetan hatz batekin atea G atxilotzeko, gorputzaren induzitutako tentsioa atearen sarrerako seinale gisa. MOSFETen anplifikazioaren eginkizuna dela eta, ID eta UDS aldatu egingo dira, hau da, DS poloaren arteko erresistentzia aldatu egin dela, orratzak swing anplitude handia duela ikus dezakegu. Eskuak atea estutzen badu, orratzaren kulunka oso txikia da, hau da, MOSFET anplifikazio gaitasuna nahiko ahula da; orratzak ekintza txikienik ez badu, MOSFET-a kaltetuta dagoela adieraziz.