WST2088A N kanaleko 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

deskribapen laburra:

Modelo zenbakia:WST2088A

BVDSS:20V

RDSON:10,7 mΩ

ID:7.5A

Kanala:N kanala

Paketea:SOT-23-3L

Udako produktua:WST2088A MOSFET-en tentsioa 20V da, korrontea 7.5A da, erresistentzia 10.7mΩ da, kanala N kanala da eta paketea SOT-23-3L da.

Aplikazioak:Zigarro elektronikoak, kontrolagailuak, produktu digitalak, etxetresna elektriko txikiak, kontsumo-elektronika, etab.

Bidali mezu elektronikoa PDFa

Produktuaren xehetasuna

Aplikazio

Produktuen etiketak

Deskribapen orokorra

WST2088A errendimendurik handieneko N-ch MOSFET-ak da zelula-dentsitate handikoa, RDSON eta ate karga bikaina eskaintzen dutenak potentzia aldatzeko eta karga aldatzeko aplikazio gehienetarako.WST2088A-k RoHS eta Produktu Berdearen eskakizunak betetzen ditu funtzioen fidagarritasun osoa onartuta.

Ezaugarriak

Zelula dentsitate handiko Trench teknologia aurreratua, ate karga oso baxua, Cdv/dt efektuaren gainbehera bikaina, gailu berdea eskuragarri

Aplikazioak

Potentzia aldatzeko aplikazioa, Konmutazio gogorreko eta maiztasun handiko zirkuituak, etenik gabeko hornidura, zigarro elektronikoak, kontrolagailuak, produktu digitalak, etxetresna txikiak, kontsumo-elektronika, etab.

dagokion material zenbakia

AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, etab.

Parametro garrantzitsuak

Ezaugarri elektrikoak (TJ=25 ℃, bestela adierazi ezean)

Ikurra	Parametroa	Balorazioa	Unitateak
VDS	Draina-Iturria Tentsioa	20	V
VGS	Ate-iturburuko tentsioa	±12	V
ID@Tc=25℃	Etengabeko drainatze-korrontea, VGS @ 4,5 V	7.5	A
ID@Tc=70℃	Etengabeko drainatze-korrontea, VGS @ 4,5 V	4.5	A
IDP	Pultsatutako drain-korrontea	24	A
PD@TA=25℃	Erabateko potentzia xahutzea	1.25	W
TSTG	Biltegiratze-tenperatura-tartea	-55etik 150era	℃
TJ	Funtzionamendu-junturaren tenperatura-tartea	-55etik 150era	℃

Ikurra	Parametroa	Baldintzak	Min.	Tip.	Max.	Unitatea
BVDSS	Draina-Iturria Matxura Tentsioa	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Tenperatura Koefizientea	25 ℃ erreferentzia, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(AKTIBATUA)	Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2	VGS=4,5V, ID=6A	---	10.7	14	mΩ
RDS(AKTIBATUA)	Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2					mΩ
		VGS=2,5V, ID=5A	---	12.8	17
VGS(th)	Atearen Atalasearen Tentsioa	VGS=VDS , ID =250uA	0.4	0,63	1.2	V
IDSS	Hustuketa-Iturria ihes-korrontea	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Ate-iturria ihes-korrontea	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Atearen karga osoa	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Ate-iturburuko karga		---	1.6	---
Qgd	Gate-Drain Karga		---	3.4	---
Td (aktibatuta)	Pizteko atzerapen-denbora	VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Igoera Denbora		---	15	---
Td (desaktibatuta)	Itzaltzeko Atzerapen-denbora		---	33	---
Tf	Jaitsiera Denbora		---	13	---
Ciss	Sarrerako kapazitatea	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	---	pF
Koss	Irteerako kapazitatea		---	125	---
Krs	Alderantzizko transferentzia kapazitatea		---	90	---