WST2088 N kanaleko 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

deskribapen laburra:

Modelo zenbakia:WST2088

BVDSS:20V

RDSON:8mΩ

ID:8.8A

Kanala:N kanala

Paketea:SOT-23-3L

Udako produktua:WST2088 MOSFET-en tentsioa 20V da, korrontea 8.8A da, erresistentzia 8mΩ da, kanala N kanala da eta paketea SOT-23-3L da.

Aplikazioak:Zigarro elektronikoak, kontrolagailuak, gailu digitalak, etxetresna elektriko txikiak eta kontsumo-elektronika.

Bidali mezu elektronikoa PDFa

Produktuaren xehetasuna

Aplikazio

Produktuen etiketak

Deskribapen orokorra

WST2088 MOSFETak merkatuan dauden N kanaleko transistore aurreratuenak dira.Zelula-dentsitate izugarri altua dute, eta horrek RDSON eta ate karga bikaina eragiten du.MOSFET hauek potentzia txikiak aldatzeko eta karga aldatzeko aplikazioetarako ezin hobeak dira.RoHS eta Produktu Berdeen baldintzak betetzen dituzte eta guztiz fidagarritasuna probatu dute.

Ezaugarriak

Trench teknologia aurreratua zelula-dentsitate handiko, Super Low Gate Charge eta Cdv/dt efektuaren gainbehera bikainarekin, Gailu Berde bihurtuz.

Aplikazioak

Elikatze-aplikazioak, etenik gabeko elikadura-hornidurak eta maiztasun handiko zirkuituak, zigarro elektronikoak, kontrolagailuak, gailu elektronikoak, etxetresna txikiak eta kontsumo-elektronika.

dagokion material zenbakia

AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, etab.

Parametro garrantzitsuak

Ikurra	Parametroa	Balorazioa	Unitateak
VDS	Draina-Iturria Tentsioa	20	V
VGS	Ate-iturburuko tentsioa	±12	V
ID@Tc=25℃	Etengabeko drainatze-korrontea, VGS @ 4,5 V	8.8	A
ID@Tc=70℃	Etengabeko drainatze-korrontea, VGS @ 4,5 V	6.2	A
IDP	Pultsatutako drain-korrontea	40	A
PD@TA=25℃	Erabateko potentzia xahutzea	1.5	W
TSTG	Biltegiratze-tenperatura-tartea	-55etik 150era	℃
TJ	Funtzionamendu-junturaren tenperatura-tartea	-55etik 150era	℃

Ezaugarri elektrikoak (TJ=25 ℃, bestela adierazi ezean)

Ikurra	Parametroa	Baldintzak	Min.	Tip.	Max.	Unitatea
BVDSS	Draina-Iturria Matxura Tentsioa	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Tenperatura Koefizientea	25 ℃ erreferentzia, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(AKTIBATUA)	Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2	VGS=4,5V, ID=6A	---	8	13	mΩ
RDS(AKTIBATUA)	Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2	VGS=2,5V, ID=5A	---	10	19	mΩ
VGS(th)	Atearen Atalasearen Tentsioa	VGS=VDS , ID =250uA	0,5	---	1.3	V
IDSS	Hustuketa-Iturria ihes-korrontea	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Ate-iturria ihes-korrontea	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Atearen karga osoa	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A	---	16	---	nC
Qgs	Ate-iturburuko karga		---	3	---
Qgd	Gate-Drain Karga		---	4.5	---
Td (aktibatuta)	Pizteko atzerapen-denbora	VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A	---	10	---	ns
Tr	Igoera Denbora		---	13	---
Td (desaktibatuta)	Itzaltzeko Atzerapen-denbora		---	28	---
Tf	Jaitsiera Denbora		---	7	---
Ciss	Sarrerako kapazitatea	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1400	---	pF
Koss	Irteerako kapazitatea		---	170	---
Krs	Alderantzizko transferentzia kapazitatea		---	135	---