WSP4088 N kanaleko 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

produktuak

WSP4088 N kanaleko 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

deskribapen laburra:


  • Modelo zenbakia:WSP4088
  • BVDSS:40V
  • RDSON:13 mΩ
  • ID:11A
  • Kanala:N kanala
  • Paketea:SOP-8
  • Udako produktua:WSP4088 MOSFET-en tentsioa 40V da, korrontea 11A da, erresistentzia 13mΩ, kanala N kanala da eta paketea SOP-8 da.
  • Aplikazioak:Zigarro elektronikoak, haririk gabeko kargatzea, motorrak, droneak, medikuak, autoak kargatzea, kontrolagailuak, produktu digitalak, etxetresna txikiak, kontsumo-elektronika, etab.
  • Produktuaren xehetasuna

    Aplikazioa

    Produktuen etiketak

    Deskribapen Orokorra

    WSP4088 errendimendurik handieneko lubaki N kanaleko MOSFET-a da, zelula-dentsitate oso handikoa, RDSON eta ate karga bikainak eskaintzen dituen buck bihurgailu sinkronikoen aplikazio gehienetarako. WSP4088 RoHS eta produktu berdeen eskakizunak betetzen ditu, 100% EAS bermea, funtzio osoa fidagarritasuna onartuta.

    Ezaugarriak

    Gailu fidagarriak eta malkartsuak, berunik gabekoak eta berdeak eskuragarri

    Aplikazioak

    Energia-kudeaketa mahaigaineko ordenagailuetan edo DC/DC bihurgailuetan, zigarro elektronikoak, haririk gabeko kargatzea, motorrak, droneak, medikuak, autoak kargatzea, kontrolagailuak, produktu digitalak, etxetresna txikiak, kontsumo-elektronika, etab.

    dagokion material zenbakia

    AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 etab.

    Parametro garrantzitsuak

    Gehienezko balorazio absolutuak (TA = 25 C Bestela adierazi ezean)

    Ikurra Parametroa   Balorazioa Unitatea
    Balorazio komunak    
    VDSS Draina-Iturria Tentsioa   40 V
    VGSS Ate-iturburuko tentsioa   ±20
    TJ Gehienezko lotura-tenperatura   150 °C
    TSTG Biltegiratze-tenperatura-tartea   -55etik 150era
    IS Diodoa Aurrerako Korronte Etengabea TA=25°C 2 A
    ID Etengabeko drainatze-korrontea TA=25°C 11 A
    TA=70°C 8.4
    IDM a Pultsatutako drain-korrontea TA=25°C 30
    PD Gehienezko potentzia xahutzea TA=25°C 2.08 W
    TA=70°C 1.3
    RqJA Erresistentzia Termikoa-Bildura Inguruarekiko t £ 10s 30 °C/W
    Egoera egonkorra 60
    RqJL Erresistentzia Termikoa-Buntura Berunarekiko Egoera egonkorra 20
    IAS b Elur-jausi Korrontea, Pultsu bakarra L=0,1 mH 23 A
    EAS b Avalanche Energy, Pultsu bakarra L=0,1 mH 26 mJ

    Oharra a:Max. korrontea lotura hariaren bidez mugatzen da.
    b oharra:UIS probatua eta pultsu-zabalera mugatua juntura-tenperatura maximoarekin 150oC (hasierako tenperatura Tj=25oC).

    Ezaugarri elektrikoak (TA = 25 C Bestela adierazi ezean)

    Ikurra Parametroa Proba-baldintzak Min. Tip. Max. Unitatea
    Ezaugarri estatikoak
    BVDSS Draina-Iturria Matxura Tentsioa VGS=0V, IDS=250mA 40 - - V
    IDSS Zero Gate Tentsio Hustuketa Korrontea VDS=32V, VGS=0V - - 1 mA
    TJ=85°C - - 30
    VGS(th) Atearen Atalasearen Tentsioa VDS=VGS, IDS=250mA 1.5 1.8 2.5 V
    IGSS Atearen ihes-korrontea VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
    RDS(ON) c Drain-Iturria On-egoer Erresistentzia VGS=10V, IDS=7A - 10.5 13 mW
    TJ=125°C - 15.75 -
    VGS=4,5V, IDS=5A - 12 16
    Gfs Aurrerako Transkonduktantzia VDS=5V, IDS=15A - 31 - S
    Diodoaren Ezaugarriak
    VSD c Diodo Aurrerako Tentsioa ISD=10A, VGS=0V - 0,9 1.1 V
    trr Alderantzizko Berreskuratze Denbora VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms - 15.2 - ns
    ta Kargatzeko Denbora - 9.4 -
    tb Deskarga Denbora - 5.8 -
    Qrr Alderantzizko Berreskuratze Karga - 9.5 - nC
    Ezaugarri dinamikoak d
    RG Ate Erresistentzia VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 0,7 1.1 1.8 W
    Ciss Sarrerako kapazitatea VGS=0V,VDS=20V,Maiztasuna=1.0MHz - 1125 - pF
    Koss Irteerako kapazitatea - 132 -
    Krs Alderantzizko transferentzia kapazitatea - 70 -
    td (AKTIBATUA) Pizteko atzerapen-denbora VDD=20V, RL=20W,IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W - 12.6 - ns
    tr Piztu igoera denbora - 10 -
    td (OFF) Itzaltzeko Atzerapen-denbora - 23.6 -
    tf Desaktibatzeko udazken-ordua - 6 -
    Atearen kargaren ezaugarriak d
    Qg Atearen karga osoa VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=7A - 9.4 - nC
    Qg Atearen karga osoa VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A - 20 28
    Qgth Atalase-atearen karga - 2 -
    Qgs Ate-iturburuko karga - 3.9 -
    Qgd Gate-Drain Karga - 3 -

    Oharra c:
    Pultsu proba ; pultsu-zabalera £ 300 ms, lan-zikloa £ % 2.


  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa:

  • Idatzi zure mezua hemen eta bidali iezaguzu