WSD80130DN56 N kanaleko 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktuaren ikuspegi orokorra
WSD80130DN56 MOSFETaren tentsioa 80V da, korrontea 130A da, erresistentzia 2.7mΩ da, kanala N kanala da eta paketea DFN5X6-8 da.
WINSOK MOSFET aplikazio-eremuak
Drones MOSFET, motor MOSFET, mediku MOSFET, erreminta elektrikoak MOSFET, ESC MOSFET.
WINSOK MOSFET beste markako material zenbaki batzuei dagokie
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET parametroak
| Ikurra | Parametroa | Balorazioa | Unitateak |
| VDS | Draina-Iturria Tentsioa | 80 | V |
| VGS | Gate-Source Tentsioa | ±20 | V |
| TJ | Gehienezko lotura-tenperatura | 150 | °C |
| ID | Biltegiratze-tenperatura-tartea | -55etik 150era | °C |
| ID | Etengabeko drainatze-korrontea, VGS= 10V,TC=25°C | 130 | A |
| Etengabeko drainatze-korrontea, VGS= 10V,TC=70°C | 89 | A | |
| IDM | Pultsatutako drain-korrontea ,TC=25°C | 400 | A |
| PD | Gehienezko potentzia xahutzea,TC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Erresistentzia Termikoa-Kasuarekiko lotura | 1.25 | °C |
| Ikurra | Parametroa | Baldintzak | Min. | Tip. | Max. | Unitatea |
| BVDSS | Draina-Iturria Matxura Tentsioa | VGS=0V, ID= 250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTenperatura-koefizientea | 25 erreferentzia℃, ID= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(AKTIBATUA) | Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
| VGS(th) | Atearen Atalasearen Tentsioa | VGS=VDS, ID= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Tenperatura-koefizientea | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Hustuketa-Iturria ihes-korrontea | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Ate-iturria ihes-korrontea | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Atearen karga osoa (10V) | VDS=30V, VGS=10V, ID=30A | --- | 48.6 | --- | nC |
| Qgs | Ate-iturburuko karga | --- | 17.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Karga | --- | 10.4 | --- | ||
| Td (aktibatuta) | Pizteko atzerapen-denbora | VDD=30V, VGS=10V, RG=2,5Ω, ID=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Igoera Denbora | --- | 10 | --- | ||
| Td (desaktibatuta) | Itzaltzeko Atzerapen-denbora | --- | 35 | --- | ||
| Tf | Jaitsiera Denbora | --- | 12 | --- | ||
| Cis | Sarrerako kapazitatea | VDS= 25 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4150 | --- | pF |
| Koss | Irteerako kapazitatea | --- | 471 | --- | ||
| Crss | Alderantzizko transferentzia kapazitatea | --- | 20 | --- |
