WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 P kanala -100V -34A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskribapen laburra:

Parte zenbakia:WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56

BVDSS:-100V

ID:-34A

RDSON:32 mΩ

Kanala:P kanala

Paketea:DFN5X6-8

Bidali mezu elektronikoa PDFa

Produktuaren xehetasuna

Aplikazio

Produktuen etiketak

WINSOK MOSFET produktuaren ikuspegi orokorra

WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 MOSFET-en tentsioa -100V da, korrontea -34A, erresistentzia 32mΩ, kanala P kanala eta paketea DFN5X6-8 da.

WINSOK MOSFET aplikazio-eremuak

E-zigarro MOSFET, haririk gabeko kargatzeko MOSFET, motor MOSFET, drone MOSFET, mediku MOSFET, auto-kargagailu MOSFET, kontroladorea MOSFET, produktu digital MOSFET, etxetresna txiki MOSFET, kontsumo elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET beste markako material zenbaki batzuei dagokie

Sinopower MOSFET SM1A33PSKP.

VISHAY MOSFET Si7489DP.

MOSFET parametroak

Parte-zenbakia	Konfigurazioa	Mota	VDS	VGS	NAN (A)	RDS(ON)(mΩ)						RDS(ON)(mΩ)				Ciss	Paketea
			VDS	VGS	NAN (A)	@10V		@6V		@4.5V		@2.5V		@1.8V		Ciss
			(V)	±(V)	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	(pF)

WSD50P10DN56	Bakarra	P-Ch	-100	20	-34	32	40	-	-	38	51	-	-	-	-	2480	DFN5X6-8
WSD50P10ADN56	Bakarra	P-Ch	-100	20	-40	62	81	-	-	-	-	-	-	-	-	2590	DFN5X6-8