WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 P kanala -100V -34A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskribapen laburra:

Parte zenbakia:WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56

BVDSS:-100V

ID:-34A

RDSON:32 mΩ

Kanala:P kanala

Paketea:DFN5X6-8

Bidali mezu elektronikoa PDFa

Produktuaren xehetasuna

Aplikazioa

Produktuen etiketak

WINSOK MOSFET produktuaren ikuspegi orokorra

WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 MOSFET-en tentsioa -100V da, korrontea -34A da, erresistentzia 32mΩ da, kanala P kanala da eta paketea DFN5X6-8 da.

WINSOK MOSFET aplikazio-eremuak

E-zigarro MOSFET, haririk gabeko kargatzeko MOSFET, motor MOSFET, drone MOSFET, mediku MOSFET, auto kargagailu MOSFET, kontroladorea MOSFET, produktu digital MOSFET, etxetresna txiki MOSFET, kontsumo elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET beste markako material zenbaki batzuei dagokie

Sinopower MOSFET SM1A33PSKP.

VISHAY MOSFET Si7489DP.

MOSFET parametroak

Parte-zenbakia	Konfigurazioa	Mota	VDS	VGS	NAN (A)	RDS(ON)(mΩ)						RDS(ON)(mΩ)				Ciss	Paketea
			VDS	VGS	NAN (A)	@10V		@6V		@4.5V		@2.5V		@1.8V		Ciss
			(V)	±(V)	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	Tip.	Max.	(pF)

WSD50P10DN56	Bakarra	P-Ch	-100	20	-34	32	40	-	-	38	51	-	-	-	-	2480	DFN5X6-8
WSD50P10ADN56	Bakarra	P-Ch	-100	20	-40	62	81	-	-	-	-	-	-	-	-	2590	DFN5X6-8