WSD40200DN56G N kanaleko 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktuaren ikuspegi orokorra
WSD40120DN56G MOSFET-en tentsioa 40V da, korrontea 120A da, erresistentzia 1.4mΩ da, kanala N kanala da eta paketea DFN5X6-8 da.
WINSOK MOSFET aplikazio-eremuak
E-zigarroak MOSFET, haririk gabeko kargatzeko MOSFET, dronak MOSFET, mediku arreta MOSFET, autoen kargagailuak MOSFET, kontrolagailu MOSFET, produktu digital MOSFET, etxetresna txiki MOSFET, kontsumo elektronika MOSFET.
WINSOK MOSFET beste markako material zenbaki batzuei dagokie
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Erdieroale MOSFET PDC496X.
MOSFET parametroak
| Ikurra | Parametroa | Balorazioa | Unitateak |
| VDS | Draina-Iturria Tentsioa | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Tentsioa | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Etengabeko drainatze-korrontea, VGS@10V1 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Etengabeko drainatze-korrontea, VGS@10V1 | 82 | A |
| IDM | Pultsatutako drain-korrontea2 | 400 | A |
| EAS | Pultsu bakarreko Avalanche Energia3 | 400 | mJ |
| IAS | Elur-jausi Korrontea | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Erabateko potentzia xahutzea4 | 125 | W |
| TSTG | Biltegiratze-tenperatura-tartea | -55etik 150era | ℃ |
| TJ | Funtzionamendu-junturaren tenperatura-tartea | -55etik 150era | ℃ |
| Ikurra | Parametroa | Baldintzak | Min. | Tip. | Max. | Unitatea |
| BVDSS | Draina-Iturria Matxura Tentsioa | VGS=0V, ID= 250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTenperatura-koefizientea | 25 erreferentzia℃, ID= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(AKTIBATUA) | Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
| RDS(AKTIBATUA) | Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| VGS(th) | Atearen Atalasearen Tentsioa | VGS=VDS, ID= 250uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Tenperatura-koefizientea | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Hustuketa-Iturria ihes-korrontea | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ate-iturria ihes-korrontea | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Aurrerako Transkonduktantzia | VDS=5V, ID=20A | --- | 53 | --- | S |
| Rg | Ate Erresistentzia | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Atearen karga osoa (10V) | VDS= 15 V, VGS=10V, ID=20A | --- | 45 | --- | nC |
| Qgs | Ate-iturburuko karga | --- | 12 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Karga | --- | 18.5 | --- | ||
| Td (aktibatuta) | Pizteko atzerapen-denbora | VDD= 15 V, VGEN=10V, RG=3.3Ω, ID=20A,RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
| Tr | Igoera Denbora | --- | 9 | --- | ||
| Td (desaktibatuta) | Itzaltzeko Atzerapen-denbora | --- | 58.5 | --- | ||
| Tf | Jaitsiera Denbora | --- | 32 | --- | ||
| Cis | Sarrerako kapazitatea | VDS= 20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
| Koss | Irteerako kapazitatea | --- | 1119 | --- | ||
| Crss | Alderantzizko transferentzia kapazitatea | --- | 82 | --- |
