WSD30150DN56 N kanaleko 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktuaren ikuspegi orokorra
WSD30150DN56 MOSFETaren tentsioa 30V da, korrontea 150A da, erresistentzia 1.8mΩ da, kanala N kanala da eta paketea DFN5X6-8 da.
WINSOK MOSFET aplikazio-eremuak
E-zigarroak MOSFET, haririk gabeko kargatzeko MOSFET, drone MOSFET, mediku-laguntza MOSFET, autoen kargagailuak MOSFET, kontrolagailu MOSFET, produktu digital MOSFET, etxetresna txiki MOSFET, kontsumo elektronika MOSFET.
WINSOK MOSFET beste markako material zenbaki batzuei dagokie
AOS MOSFET AON6512,AONS3234.
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.
POTENS Erdieroale MOSFET PDC392X.
MOSFET parametroak
| Ikurra | Parametroa | Balorazioa | Unitateak |
| VDS | Draina-Iturria Tentsioa | 30 | V |
| VGS | Gate-Source Tentsioa | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Etengabeko drainatze-korrontea, VGS@10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Etengabeko drainatze-korrontea, VGS@10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Pultsatutako drain-korrontea2 | 200 | A |
| EAS | Pultsu bakarreko Avalanche Energia3 | 125 | mJ |
| IAS | Elur-jausi Korrontea | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Erabateko potentzia xahutzea4 | 62.5 | W |
| TSTG | Biltegiratze-tenperatura-tartea | -55etik 150era | ℃ |
| TJ | Funtzionamendu-junturaren tenperatura-tartea | -55etik 150era | ℃ |
| Ikurra | Parametroa | Baldintzak | Min. | Tip. | Max. | Unitatea |
| BVDSS | Draina-Iturria Matxura Tentsioa | VGS=0V, ID= 250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTenperatura-koefizientea | 25 erreferentzia℃, ID= 1 mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(AKTIBATUA) | Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, ID=15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Atearen Atalasearen Tentsioa | VGS=VDS, ID= 250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Tenperatura-koefizientea | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Hustuketa-Iturria ihes-korrontea | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ate-iturria ihes-korrontea | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Aurrerako Transkonduktantzia | VDS=5V, ID= 10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Ate Erresistentzia | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Atearen karga osoa (4,5 V) | VDS= 15 V, VGS= 4,5 V, ID=30A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Ate-iturburuko karga | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Karga | --- | 11.4 | --- | ||
| Td (aktibatuta) | Pizteko atzerapen-denbora | VDD= 15 V, VGEN=10V, RG=6Ω, ID=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Igoera Denbora | --- | 12 | --- | ||
| Td (desaktibatuta) | Itzaltzeko Atzerapen-denbora | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Jaitsiera Denbora | --- | 29 | --- | ||
| Cis | Sarrerako kapazitatea | VDS= 15 V, VGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Koss | Irteerako kapazitatea | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Alderantzizko transferentzia kapazitatea | 260 | 320 | 420 |
