WSD20100DN56 N kanaleko 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktuaren ikuspegi orokorra
WSD20100DN56 MOSFETaren tentsioa 20V da, korrontea 90A da, erresistentzia 1.6mΩ da, kanala N kanala da eta paketea DFN5X6-8 da.
WINSOK MOSFET aplikazio-eremuak
Zigarro elektronikoak MOSFET, drone MOSFET, tresna elektrikoak MOSFET, fascia pistola MOSFET, PD MOSFET, etxetresna txiki MOSFET.
WINSOK MOSFET beste markako material zenbaki batzuei dagokie
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Erdieroale MOSFET PDC394X.
MOSFET parametroak
| Ikurra | Parametroa | Balorazioa | Unitateak |
| VDS | Draina-Iturria Tentsioa | 20 | V |
| VGS | Ate-iturburuko tentsioa | ±12 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Etengabeko drainatze-korrontea1 | 90 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Etengabeko drainatze-korrontea1 | 48 | A |
| IDM | Pultsatutako drain-korrontea2 | 270 | A |
| EAS | Pultsu bakarreko Avalanche Energia3 | 80 | mJ |
| IAS | Elur-jausi Korrontea | 40 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Erabateko potentzia xahutzea4 | 83 | W |
| TSTG | Biltegiratze-tenperatura-tartea | -55etik 150era | ℃ |
| TJ | Funtzionamendu-junturaren tenperatura-tartea | -55etik 150era | ℃ |
| RθJA | Erresistentzia Termikoa Juntura-giroa1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Erresistentzia Termikoa Juntura-giroa1(egoera egonkorra) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Erresistentzia Termikoko Juntura-kasu1 | 1.5 | ℃/W |
| Ikurra | Parametroa | Baldintzak | Min | Tip | Max | Unitatea |
| BVDSS | Draina-Iturria Matxura Tentsioa | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Atearen Atalasearen Tentsioa | VGS=VDS , ID =250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(AKTIBATUA) | Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(AKTIBATUA) | Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(AKTIBATUA) | Drain-Iturburu Estatikoa On-Erresistentzia2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Hustuketa-Iturria ihes-korrontea | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ate-iturria ihes-korrontea | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Ate Erresistentzia | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Atearen karga osoa (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Ate-iturburuko karga | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Karga | --- | 14 | --- | ||
| Td (aktibatuta) | Pizteko atzerapen-denbora | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Igoera Denbora | --- | 11.7 | --- | ||
| Td (desaktibatuta) | Itzaltzeko Atzerapen-denbora | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Jaitsiera Denbora | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Sarrerako kapazitatea | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Koss | Irteerako kapazitatea | --- | 501 | --- | ||
| Krs | Alderantzizko transferentzia kapazitatea | --- | 321 | --- | ||
| IS | Etengabeko iturri korrontea1,5 | VG=VD=0V , Indar Korrontea | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diodo Aurrerako Tentsioa2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Alderantzizko Berreskuratze Denbora | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Alderantzizko Berreskuratze Karga | --- | 72 | --- | nC |
